【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及内存系统,尤其涉及流水线内存电路。
技术介绍
多数计算机系统总是使用某些形式的随机存取存储器(RAM)。通常在易失性存储器应用中,由于成本考虑而使用动态随机存取存储器(DRAM)家族中的存储装置。与任何存储器一样,DRAM具有当读命令已经在DRAM输入端被接收到之后,数据出现在DRAM输出端所用的固有时间量。这个固有时间量通常被称为读延迟或存取时间。为了减少一些这样的读延迟,已知作为同步DRAM的一类DRAM是使用流水线结构来实现,在流水线结构中读延迟超过多个周期,但每个周期都发出新命令。使用这项技术,装置的有效数据输出带宽会被增力口,此带宽对应于被减少的读周期时间。当使用流水线结构时,术语读周期时间通常用于指连续读数据输出周期之间的时间或期间。 许多传统的流水线内存装置采用若干个时序逻辑时钟存储装置,诸如读地址路径和数据输出时钟路径内的锁存器、触发器等等。这些时序逻辑装置可以被系统时钟或它的一些派生物时钟控制。因此,对于给定的系统时钟频率,内存装置将具有对应的周期时间。然而,随着系统时钟频率变化,内存周期时间将变化。当试图维持用于不同时钟频率的相对恒 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。