具有软错误翻转免疫性的存储器元件制造技术

本发明专利技术提供了带有存储器单元的集成电路。存储器单元可以具有连接成环形配置的四个类似反相器电路和四个相应的存储节点。四个类似反相器电路可以形成该存储器单元的存储部分。在上拉和下拉路径中，某些类似反相器电路可以具有三态晶体管。该三态晶体管可以由地址信号控制。地址和存取晶体管可以耦合在某些存储节点和数据线之间。该地址和存取晶体管可以用来读取和写入存储器单元。在写操作期间，可以使地址信号有效以关断三态晶体管和消除单元的竞争电流。在读和正常操作期间，可以使该地址信号无效以允许该类似反相器电路保持所述单元的当前状态同时提供软错误翻转免疫性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请要求2010年4月2日提交的美国专利申请12/753809的优先权和益处。
技术介绍
集成电路经常包含易失性存储器元件。典型的易失性存储器元件基于交叉耦合的反相器(锁存器)。只有在集成电路上电时，易失性存储器元件才保持数据。在电力损失的情况下，易失性存储器元件中的数据会丢失。尽管非易失性存储器元件(比如基于电可擦除可编程只读存储器技术的存储器元件)不会以这种方式遭受数据丢失，但是将非易失性存储器元件制作为给定集成电路的部件经常是不期望的或不可行的。结果是，经常使用易失性存储器元件。比如，静态随机存取存储器(SRAM)芯片包含SRAM单元，其为一种类型的易失性存储器元件。易失性存储器元件还用于可编程逻辑器件集成电路。 易失性存储器元件会遭受公知为软错误翻转的现象。软错误翻转事件由嵌入在集成电路及其封装内的宇宙射线和放射性杂质引起。宇宙射线和放射性杂质生成高能量原子粒子，比如中子和阿尔法粒子。存储器元件包含由图案化的硅衬底形成的晶体管和其他组件。当原子粒子撞击存储器元件中的硅时，生成电子空穴对。电子空穴对产生可以使得存储器元件中充电的节点放电和存储器元件的状态翻转的传导路径。如果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·H·怀特，
申请(专利权)人：阿尔特拉公司，
类型：
国别省市：