【技术实现步骤摘要】
本文公开的实施例涉及微电子装置设计和制造的领域。更特别地，本公开的实施例涉及包含堆叠水平电容器结构的设备，并且涉及相关存储器装置和电子系统，并且涉及形成所述设备的方法。
技术介绍
1、集成电路制造的持续目标是增加集成密度。动态随机存取存储器(dram)利用dram电容器来存储一定量的电荷，所述电荷代表存储位的逻辑值。一些dram电容器包含容器形电容器，其一个电极被成形为容器，而单元介电材料和另一电极仅在容器的内部(例如，单侧孔电容器)或仅在容器的外部(例如，单侧柱状电容器)或在容器的内部和外部(例如，双侧容器)。为了增加集成密度，已经通过增加纵横比(即，高度与宽度或直径之比)并减小相邻dram电容器彼此的接近度来减小dram电容器的横向占地面积。高纵横比和较小的尺寸导致易于倾倒或折断的结构上脆弱的容器。容器形电容器可以以在顶部和底部处锚固的中空圆柱形形状垂直定向，但是能够横向移动，这引起dram电容器的变形(例如，损坏)。因此，容器的结构稳定性和机械强度对于dram装置中的dram电容器的可操作性很重要。已经使用保持结构(例如，晶格结构)来通过支撑由电极限定的容器的外侧壁来加强垂直定向的容器。然而，使用保持结构增加了dram电容器制造工艺的复杂性。
2、此外，常规的dram装置结构包含通过介电材料分开的多层导电结构(例如，存取线、数据线等)。一些常规的dram装置结构包含在存取线和相对应的存取装置(例如，晶体管)上方垂直定位电容器柱。然而，在这种装置结构中在存取线和存取装置上方垂直形成电容器柱需要dram装置内的另外
3、随着dram电容器的大小的减小，容器的横截面积可能减小，从而导致容器电容减小。各个dram电容器的大小的减小和相邻电容器的接近度的减小增加了制造期间的两个或两个以上相邻电容器之间的桥接(例如，电连接)的敏感性以及dram装置的操作期间的泄漏的敏感性。因此，随着dram装置的大小按比例减小以增加集成密度，常规的dram电容器可能不足以减少由于水平邻接电容器之间的耦合电容而引起的泄漏。
技术实现思路
1、本文描述的实施例包含包含堆叠水平电容器结构的设备，并且涉及相关存储器装置和电子系统，并且涉及形成所述设备的方法。根据本文所述的一个实施例，一种设备包括翅片结构，所述翅片结构包括各个层的导电材料，所述导电材料包括在第一水平方向上延伸的细长部分；第一导电线，其在横向于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸，所述第一导电线的至少一部分垂直对齐；第二导电线，其在横向于所述第一水平方向和所述第二水平方向中的每一个的垂直方向上延伸；水平电容器结构，其包括所述翅片结构的所述导电材料；和存取装置，其接近所述第一导电线和所述第二导电线的交叉点，所述存取装置包括所述翅片结构的所述导电材料。
2、根据本文描述的另外的实施例，一种形成设备的方法包括：形成至少一个开口，其垂直延伸通过基础材料上方的交替的导电材料和介电材料的堆叠，所述堆叠的所述交替的导电材料和介电材料的其余部分限定在第一水平方向上延伸的翅片结构；形成至少一个栅极结构，其邻近所述翅片结构的所述导电材料；形成水平电容器结构，其邻近所述翅片结构的各个层的导电材料；形成至少一个阶梯结构，其包括交替的导电材料和介电材料的所述堆叠的材料；形成电绝缘材料，其位于所述堆叠的至少一部分上方；和通过所述电绝缘材料中的开口形成导电触点。
3、此外，根据本文描述的另外的实施例，一种存储器装置包括存储器单元的至少一个存储器阵列，其包括：数据线，其在水平方向上延伸；存取线，其在基本上横向于所述水平方向的垂直方向上延伸；电容器结构，其在所述水平方向上水平对齐并且在所述垂直方向上垂直堆叠；和存取装置，其电耦合到所述存取线，所述存取装置包括所述电容器结构所共有的导电材料。
4、根据本文描述的另外的实施例，一种电子系统包括至少一个输入装置；至少一个输出装置；至少一个处理器装置，其可操作地耦合到所述至少一个输入装置和所述至少一个输出装置；和存储器装置，其可操作地耦合到所述至少一个处理器装置，所述存储器装置包括：电容器结构，每个电容器结构包括通过介电材料彼此分开的第一电极和第二电极，其中所述第一电极包含在水平方向上延伸的导电材料的细长部分，所述第一电极的相对部分通过其间延伸的接触部分彼此连接；栅极结构，其接近所述接触部分定位，其中单个栅极结构耦合到所述第一电极的所述相对部分中的每一个；和导电线，其在横向于所述水平方向的垂直方向上延伸，所述导电线连接在所述垂直方向上堆叠的相应电容器结构的各个栅极结构。
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1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括具有包括栅极结构的存取装置，其耦合到所述第二导电线，所述个别电容器和相应存取装置共享公共栅极结构。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述存取装置包括所述电容器共用的导电材料。
4.根据权利要求2所述的设备，其中所述存取装置位于第一区域中，且所述电容器位于第二区域中，所述第二区域通过在基本上平行于所述第一导电线的方向上延伸的支撑结构与所述第一区域横向分离。
5.一种设备，其包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括栅极结构，其邻近所述阶梯结构且在所述第二方向上彼此对齐，所述栅极结构中的一或多个位于个别电容器的所述电极上。
7.根据权利要求5所述的设备，其中个别数据线中的部分在所述第二方向上彼此对齐，所述阶梯结构的单个层级上的所述数据线共享公共导电触点。
8.根据权利要求5所述的设备，其中对应于所述阶梯结构的单个层级的所述电容器共享公共数据线。
9.根据权利要求5所述的设备，其中所述阶梯结构包括在其所述个别层级上的
10.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括邻近所述数据线与所述存取线的交叉点的存取装置，个别存取装置与相应数据线共享公共导电材料。
11.一种电子系统，其包括：
12.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述电容器个别地包括由绝缘材料分隔开的相对导电结构，单个栅极结构耦合到所述相对导电结构中的每一者。
13.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述存取装置中的至少一些包括栅极全围绕存取装置。
14.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述电子装置中的一或多个被配置为存储器装置，所述存储器装置包括在所述材料下方的阵列下CMOS(CUA)区域，所述CUA区域的电路通过延伸穿过所述材料的导电触点连接到所述栅极结构。
15.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述电子装置中的一或多个包括：
16.根据权利要求15所述的电子系统，其中个别阶梯结构的最上面的台阶邻近所述存取装置，且附加台阶随着距所述存取装置的距离的增加而下降。
17.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述纳米线中的至少一些被配置为所述电容器的底部电极。
18.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述纳米线的所述共同导电材料包括单一掺杂剂，所述单一掺杂剂包括p型掺杂剂或n型掺杂剂。
19.根据权利要求11所述的电子系统，还包括将所述个别电容器与所述相应存取装置分开的介电支撑结构。
20.根据权利要求11所述的电子系统，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括具有包括栅极结构的存取装置，其耦合到所述第二导电线，所述个别电容器和相应存取装置共享公共栅极结构。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述存取装置包括所述电容器共用的导电材料。
4.根据权利要求2所述的设备，其中所述存取装置位于第一区域中，且所述电容器位于第二区域中，所述第二区域通过在基本上平行于所述第一导电线的方向上延伸的支撑结构与所述第一区域横向分离。
5.一种设备，其包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括栅极结构，其邻近所述阶梯结构且在所述第二方向上彼此对齐，所述栅极结构中的一或多个位于个别电容器的所述电极上。
7.根据权利要求5所述的设备，其中个别数据线中的部分在所述第二方向上彼此对齐，所述阶梯结构的单个层级上的所述数据线共享公共导电触点。
8.根据权利要求5所述的设备，其中对应于所述阶梯结构的单个层级的所述电容器共享公共数据线。
9.根据权利要求5所述的设备，其中所述阶梯结构包括在其所述个别层级上的接触垫，单个层级上的个别接触垫与相应电容器共享公共导电材料。
10.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括邻近所述数据线与所述存取线的交叉点的存取装置，个别存取装置与相应数据线共享公共导电材...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·M·布鲁尔，C·洛克，K·B·坎贝尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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