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存储器及其形成制造技术
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文档序号:8390985
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本发明揭示存储器及其形成。一个此种存储器具有:在所述存储器的第一垂直层级处的第一及第二存储器单元;在所述存储器的第二垂直层级处的第一及第二存储器单元;选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第一数据线;及在所述第一数据...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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