镀膜装置及其镀膜方法制造方法及图纸

技术编号:8297809 阅读:144 留言:0更新日期:2013-02-06 22:57
一种镀膜装置,用于对带有中空腔体的待镀膜工件镀膜,该镀膜装置包括一仿形本体及若干磁体,该仿形本体的形状与该待镀膜工件外形大致相当,若干磁体间隔且等间距的设置于仿形本体的外周壁上,且每一磁体的S极和N与邻近磁体的S极和N极交错设置。本发明专利技术还提供了一种使用该镀膜装置的镀膜方法。本发明专利技术克服传统镀膜由于阴影效应而导致的内孔无法镀膜的问题,且加工成本低,适合大规模量产使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于一种镀膜装置及使用该装置的镀膜方法。
技术介绍
在物理气相沉积(Ph ysical Vapor Deposition, PVD)的过程中,祀材原子或离子沉积在基材上成膜,但是因为待加工的工件特殊的结构和形状,如,其表面具有孔洞或其本身结构具有中空腔体,使得其孔洞或中空腔体内部,因物理气相沉积中的阴影效应,而导致其无法形成完整的在工件的孔洞或中空腔体内部镀上膜层,直接影响了产品的镀膜品质和良率。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种能内孔镀膜、且结构简单的镀膜装置。一种镀膜装置,用于对带有中空腔体的待镀膜工件镀膜,该镀膜装置包括一仿形本体及若干磁体,该仿形本体的形状与该待镀膜工件外形大致相当,若干磁体间隔且等间距的设置于仿形本体的外周壁上,且每一磁体的S极和N与邻近磁体的S极和N极交错设置。另外,本专利技术还提供一种对带有中空腔体的待镀膜工件的镀膜方法 提供一镀膜装置,该镀膜装置包括一仿形本体、若干磁体,该仿形本体的形状与该待镀膜工件外形大致相当,若干磁体间隔且等间距的设置于仿形本体的外周壁上,且每一磁体的S极和N与邻近磁体的S极和N极交错设置; 提供一镀膜设备,该镀膜设备包括一腔体和一位于该腔体内的支撑架,将该镀膜装置放置在该支撑架上; 将该待镀膜工件放入镀膜装置的仿形本体内; 开启镀膜设备,溅射出的金属粒子在设置于仿形本体的外周壁上的磁体的磁极作用下,被导入待镀膜工件的中空腔体内。本专利技术是通过安装在该镀膜装置外周壁设置的磁铁的磁极作用,磁极产生的磁力线可将等离子体引入内孔中,从而实现在工件的孔洞内镀膜,进而克服了传统镀膜由于阴影效应而导致的内孔无法镀膜的问题。而且加工成本低廉,适合大规模量产使用。附图说明图I是本专利技术较佳实施例镀膜装置立体图。主要元件符号说明权利要求1.一种镀膜装置,用于对带有中空腔体的待镀膜工件进行镀膜,其特征在于该镀膜装置包括一仿形本体及若干磁体,该仿形本体的形状与该待镀膜工件外形大致相当,所述若干磁体间隔且等间距的设置于仿形本体的外周壁上,且每一磁体的S极和N与邻近磁体的S极和N极交错设置。2.如权利要求I所述的镀膜装置,其特征在于该仿形本体的材质可为非磁性金属构成。3.如权利要求I所述的镀膜装置,其特征在于每一磁体通过铆合、粘合或者嵌入固定于镀膜装置。4.如权利要求I所述的镀膜装置,其特征在于每一磁体为磁铁,其为长条形,且沿着仿形本体的轴向竖直安装固定在镀膜装置外周壁上。5.如权利要求I所述的镀膜装置,其特征在于所述若干磁体的数量为偶数个。6.一种镀膜方法,对带有中空腔体的待镀膜工件镀膜,包括下述步骤 提供一镀膜装置,该镀膜装置包括一仿形本体、若干磁体,该仿形本体的形状与该待镀膜工件外形大致相当,若干磁体间隔且等间距的设置于仿形本体的外周壁上,且每一磁体的S极和N与邻近磁体的S极和N极交错设置; 提供一镀膜设备,该镀膜设备包括一腔体和一位于该腔体内的支撑架,将该镀膜装置放置在该支撑架上; 将该待镀膜工件放入镀膜装置的仿形本体内; 开启镀膜设备,溅射出的金属粒子在设置于仿形本体的外周壁上的磁体的磁极作用下,被导入待镀膜工件的中空腔体内。7.如权利要求6所述的镀膜方法,其特征在于该若干磁体通过铆合、粘合或嵌入方式固定于镀膜装置。8.如权利要求6所述的镀膜方法,其特征在于该支撑架在腔体内匀速转动。全文摘要一种镀膜装置,用于对带有中空腔体的待镀膜工件镀膜,该镀膜装置包括一仿形本体及若干磁体,该仿形本体的形状与该待镀膜工件外形大致相当,若干磁体间隔且等间距的设置于仿形本体的外周壁上,且每一磁体的S极和N与邻近磁体的S极和N极交错设置。本专利技术还提供了一种使用该镀膜装置的镀膜方法。本专利技术克服传统镀膜由于阴影效应而导致的内孔无法镀膜的问题,且加工成本低,适合大规模量产使用。文档编号C23C14/35GK102912303SQ20111022242公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月4日 优先权日2011年8月4日专利技术者陈文荣, 陈正士, 李聪 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镀膜装置,用于对带有中空腔体的待镀膜工件进行镀膜,其特征在于:该镀膜装置包括一仿形本体及若干磁体,该仿形本体的形状与该待镀膜工件外形大致相当,所述若干磁体间隔且等间距的设置于仿形本体的外周壁上,且每一磁体的S极和N与邻近磁体的S极和N极交错设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈文荣陈正士李聪
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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