一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法，其步骤为；（1）清洗基片：将基片在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗10min，然后用氮气干燥后放入溅射真空室；（2）溅射Mo薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯Mo靶，纯度达到99.99%，调整溅射靶枪到基片的距离为50mm，将真空时的本底真空抽到小于3.0×10-4Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.15Pa，溅射功率为5W/cm2，待辉光稳定后，预溅射靶材10min以去除表面污染物。随后开始沉积薄膜，沉积20~40min后停止，得到具有（211）择优取向的Mo薄膜。该薄膜结晶质量高，表面形貌均匀，电阻率低，适合于用作铜铟镓硒薄膜电池的背电极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种Mo薄膜的制备方法，具体来讲是。
技术介绍
太阳能具有清洁、便利、取之不尽等优点，是21世纪最有前景的新能源。以Cudn, Ga) Se2 (CIGS)为光吸收层的太阳能电池具有光电 转换效率高，电池稳定性好，抗辐照能力强，弱光特性好等特点。由于CIGS的光吸收系数极高，微米级的厚度即可吸收99%的太阳光，非常适合制作薄膜太阳能电池。在制备CIGS太阳电池的过程中，获得高质量的背接触层(Back Contact, BC)非常重要。BC层的质量直接影响CIGS吸收层薄膜的结晶、生长及表面形貌，进而对电池性能产生重要影响。高质量的BC层材料必须具备以下几方面的优异性能(O具有一定的惰性，以抵抗CIGS薄膜沉积过程中高腐蚀性Se气氛的影响； (2)具有阻隔性能，以阻止衬底表面的杂质扩散进入吸收层； (3)具有低的电阻率，以便与P型CIGS薄膜形成良好的欧姆接触，降低界面处的少子(电子)复合率，保证所制备的器件具有良好的电学性能； (4)具有高的光反射率，将没有吸收的太阳光反射回CIGS光吸收层薄膜中，从而最大程度地降低光的损失。目前使用的BC层材料主要有Pt，Cr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法，其特征在于：具体步骤是；（1）清洗基片：将基片在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗10？min，然后用氮气干燥后放入溅射真空室；（2）溅射Mo薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯Mo靶，纯度达到99.99%，调整溅射靶枪到与基片的距离为50？mm，将真空时的本底真空抽到小于3.0？×10？4？Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.15？Pa，溅射功率为5？W/cm2，待辉光稳定后，预溅射靶材10？min以去除表面污染物；随后开始沉积薄膜，沉积20~40？min后停止，得到具有（211）择优取向的Mo薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余洲，刘连，李珂，
申请(专利权)人：成都欣源光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：