溅射成膜装置制造方法及图纸

提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种溅射成膜装置，特别涉及作为靶材材料使用金属材料的溅射成膜>J-U ρ α装直。
技术介绍
近年来，作为在大面积的成膜对象物的表面形成高熔点的金属薄膜的方法，一般进行溅射法。图9表示以往的溅射成膜装置110的内部构成图。溅射成膜装置110具有真空槽111和多个溅射部UO1 1204。各溅射部UO1 1204的构造相同，若以符号UO1的溅射部为代表进行说明，则溅射部UO1具有金属材料的靶材Ul1和背板122i和磁体装置126”靶材Ul1形成为比背板122i表面的大小更小的平板形状，以靶材Ul1的外周整体位于比背板122i表面的外周靠内侧、背板122i表面的周缘部从靶材Ul1的外周露出的方式重叠并贴合在背板122i表面。磁体装置126i配置在背板122i的背面侧。磁体装置126i具有在平行于背板122工的磁体固定板127Cl上直线状地配置的中心磁体1271^、和从中心磁体1271^的周缘部隔开既定距离而环状地包围中心磁体1271^的外周磁体127ai。外周磁体127ai与中心磁体127bi以相互不同极性的磁极分别对置于靶材Ul1的背面的方式配置。在磁体装置126本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤重光，大野哲宏，矶部辰德，须田具和，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：
国别省市：