ITO溅射靶制造技术

本发明专利技术涉及一种ITO溅射靶，通过在背衬板上排列多个ITO分割靶并与该背衬板接合而构成，其中，仅在排列的ITO分割靶间的空隙侧的侧面具有选自铟、铟合金或锡合金的一种物质的覆盖层。本发明专利技术的课题在于提供：即使在分割ITO靶的连续溅射时，也可以抑制结瘤的产生和异常放电，并且可以得到在与空隙部分相对的衬底上形成的膜的特性与其它部分的膜的特性无差异，即膜特性的均匀性高的膜的ITO溅射靶，特别是FPD用溅射靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过溅射法制作透明导电膜时使用的溅射靶，特别涉及包含多片靶材，具有分割部的ITO溅射靶。
技术介绍
透明导电膜形成用ITO薄膜，作为以液晶显示器、触控面板、EL显示器等为代表的显示装置的透明电极广泛使用。多数情况下，ITO等透明导电膜形成用氧化物薄膜是通过溅射形成的。ITO (铟锡氧化物)薄膜，具有高导电率、高透射率的特性，因此用于平板用显示电极等。近年来，伴随平板显示器(FPD)的大型化，对于ITO靶的大型化要求也日渐增强。 但是，由于用于制作大型ITO的新型设备投资以及翘曲等引起的成品率下降，ITO的大型化非常困难。因此，目前大型ITO靶使用的是将多个小型ITO构件接合而形成的多分割革巴。使用前述的多分割靶长时间进行溅射时，已知在靶的表面、特别是分割部部分析出称为结瘤的被认为是铟的低氧化物的黑色附着物，容易引起异常放电，并且成为薄膜表面的粉粒产生源。对此，在现有技术中，记载了通过在整个空隙部分埋入铟或各种合金的方法可以抑制溅射时产生结瘤和异常放电。例如，在专利文献I中，公开了在空隙部分填充与靶主体的铟锡原子数比相等的铟-锡合金的方法。但是，为此，需要测定靶主体的铟锡原子数比，每次都需要基于该结果调节填充的铟-锡合金组成，因此靶的生产率存在问题。另外，由于将铟-锡合金注入整个间隙部分，因此存在由其上部形成的膜的电特性与由其它部分形成的膜的电特性不同的问题。另外，在专利文献2中，公开了在空隙部分填充铟的方法，在专利文献3中，公开了在空隙部分填充具有比接合材料高的熔点的合金的方法。但是，这些方法中，由于将铟注入整个空隙部分，因此存在由其上部形成的膜的电特性与由其它部分形成的膜的电特性不同的问题。在专利文献4中，公开了在空隙部分中填充虽然构成元素与金属氧化物烧结体相同但是组成不同的材料的方法。但是，氧量少的情况下，由于具有与通常的合金基本相同的特性，因此存在由其上部形成的膜的电特性与由其它部分形成的膜的电特性不同的问题，另外，相反地，氧量多的情况下，由于特性与ITO基本相同，因此存在不能在低温下熔融注入空隙部分的问题。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开平01-230768号公报专利文献2 :日本特开平08-144052号公报专利文献3 :日本特开2000-144400号公报专利文献4 :日本特开2010-106330号公报
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供即使在分割ITO靶的连续溅射时，也可以抑制结瘤的产生和异常放电，并且可以得到在与空隙部分相对的衬底上形成的膜的特性与其它部分的膜的特性无差异，即膜特性的均匀性高的膜的ITO溅射靶，特别是FPD用溅射靶。为了解决上述课题，本专利技术人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过由多个分割靶构成ITO溅射靶，并且对该多个分割靶的边缘部进行设计，能够提供可以通过排列分割靶而制作大型的靶，可以减少由各分割靶的边缘部引起的粉粒的产生导致的不良的溅射靶，特别是Fro用溅射靶。基于该发现，本专利技术提供 I) 一种ITO溅射靶，通过在背衬板上排列多个ITO分割靶并与该背衬板接合而构成，其中，仅在排列的ITO分割靶间的空隙侧的侧面具有选自铟、铟合金或锡合金的一种物质的覆盖层。另外，本专利技术提供2)上述I)所述的ITO溅射靶，其特征在于，铟合金或锡合金为选自In-Sn、In_Bi、In-Bi-Sn、In_Ga、In-Ga-Sn> In-Ga-Bi > Sn-Ga> Sn-Bi 和 Sn-Ga-Bi 中的任意一种物质。另外，本专利技术提供3)上述I)或2)所述的ITO溅射靶，其特征在于，ITO分割靶间的空隙为O. 2^0. 8mm。另外，本专利技术提供4)上述I)至3)中任一项所述的ITO溅射靶，其特征在于，覆盖层的厚度为O. 04、. 35mm，并且从空隙的大小减去覆盖层的厚度得到的间隙的大小为O. Γθ. 72mm。专利技术效果这样制备的本专利技术的溅射靶，具有如下优点可以提供即使在分割ITO靶的连续溅射时，也可以抑制结瘤的产生和异常放电，并且可以得到在与空隙部分相对的衬底上形成的膜的特性与其它部分的膜的特性无差异，即膜特性的均匀性高的膜的ITO溅射靶，特别是Fro用溅射靶，并且可以提高成膜的成品率，可以提高制品的品质。附图说明图I是本专利技术的代表性ITO溅射靶的剖视说明图。图2是以一定的间隔(空隙)排列的现有靶的说明图。具体实施例方式本专利技术的ITO溅射靶，是通过在背衬板上排列多个ITO分割靶并与该背衬板接合而构成的ITO溅射靶，其以仅在排列的ITO分割靶间的空隙侧的侧面具有选自铟、铟合金或锡合金的一种物质的覆盖层的结构的ITO溅射靶为基本。S卩，在背衬板上排列的多个ITO分割靶，各自的侧面没有紧贴，而是具有一定的间隔(空隙)。该示意图如图2所示。另一方面，说明本专利技术的代表性ITO溅射靶的剖视图如图I所示。该分割ITO靶的各构件，可以通过以下的方法制造。首先，称量氧化铟粉末和氧化锡粉末使得氧化锡为10重量％。通常的ITO的氧化锡浓度为10重量％，但是在作为透明导电体特性可以容许的范围内，可以将氧化锡的浓度设定在3 40重量％的范围。然后，将称量的原料粉末进行利用湿式介质搅拌磨机等的混合粉碎，并进行用于提高流动性的造粒，在造粒时的浆料中，可以添加用于增加成形体强度的PVA等粘合剂。然后，进行压力成形后，在氧气气氛或大气气氛中进行常压烧结，得到ITO烧结体。对所得到的ITO烧结体进行机械加工，得到分割ITO靶的各构件。此时，更优选对 角进行倒角加工，进行减小表面粗糙度的加工。分割ITO靶的个数，例如为了适合FPD，可以根据大型ITO靶的尺寸确定。这样的ITO靶，俯视一般为矩形，因此与此相对应，可以将多个长方形的分割ITO靶排列来制作。但是，分割ITO靶不限于长方形，当然也可以为其它形状例如正方形、三角形、扇形或者将它们适当组合来制作。本申请专利技术包括这些方面。在通过上述方式制作的ITO靶的各构件的侧面覆盖铟或铟合金等，形成所述物质的覆盖层。形成该覆盖层的手段没有特别限制，例如可以使用下述用于在的背衬板上进行焊接的包含铟或铟合金的焊料来形成。作为其它手段，可以使用热喷涂法、镀敷法等。另外，可以仅将侧面通过电解进行还原而形成In系金属。形成覆盖层后，使用包含铟或铟合金的焊料，如前述图I所示，在包含铜或铜合金的背衬板上进行焊接。之所以仅在侧面附加铟或铟合金等，是因为若不附加铟等，则容易产生以ITO靶的分割靶各构件间的空隙的端部为基点的异常放电等，另外，相反，若如现有例一样，在整个空隙中埋入铟等，则由该部分的上部形成的膜的电特性与由其它部分形成的膜的电特性不同。ITO靶的分割靶各构件间的空隙(间隔)的调节是必要的，该空隙设定为O.2^0. 8mm。此时的ITO分割靶间的空隙为形成覆盖层前的空隙。仅在ITO分割靶的空隙侧的侧面形成选自铟、铟合金或锡合金中的一种物质的覆盖层。然后，排列在背衬板上，并与背衬板接合。对于接合到背衬板上的各ITO分割靶而言，如上所述，需要一定的空隙，这是因为该空隙小于O. 2mm时，将多分割ITO靶的各构件粘贴到背衬板上后，难以防止接合层(使用焊料的焊接层)冷却时的热收缩造成的相邻靶构件间的碰撞弓I起的破损。另外，相反，大于O. 8mm时，即使在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：挂野崇，铃木了，栗原敏也，中村祐一郎，关和广，牧野修仁，熊原吉一，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，
类型：
国别省市：