ITO溅射靶制造技术

本发明专利技术涉及一种ITO溅射靶，通过在背衬板上排列多个ITO分割靶并与该背衬板接合而构成，其中，仅在排列的ITO分割靶间的空隙侧的侧面具有选自铟、铟合金或锡合金的一种物质的覆盖层。本发明专利技术的课题在于提供：即使在分割ITO靶的连续溅射时，也可以抑制结瘤的产生和异常放电，并且可以得到在与空隙部分相对的衬底上形成的膜的特性与其它部分的膜的特性无差异，即膜特性的均匀性高的膜的ITO溅射靶，特别是FPD用溅射靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过溅射法制作透明导电膜时使用的溅射靶，特别涉及包含多片靶材，具有分割部的ITO溅射靶。
技术介绍
透明导电膜形成用ITO薄膜，作为以液晶显示器、触控面板、EL显示器等为代表的显示装置的透明电极广泛使用。多数情况下，ITO等透明导电膜形成用氧化物薄膜是通过溅射形成的。ITO (铟锡氧化物)薄膜，具有高导电率、高透射率的特性，因此用于平板用显示电极等。近年来，伴随平板显示器(FPD)的大型化，对于ITO靶的大型化要求也日渐增强。 但是，由于用于制作大型ITO的新型设备投资以及翘曲等引起的成品率下降，ITO的大型化非常困难。因此，目前大型ITO靶使用的是将多个小型ITO构件接合而形成的多分割革巴。使用前述的多分割靶长时间进行溅射时，已知在靶的表面、特别是分割部部分析出称为结瘤的被认为是铟的低氧化物的黑色附着物，容易引起异常放电，并且成为薄膜表面的粉粒产生源。对此，在现有技术中，记载了通过在整个空隙部分埋入铟或各种合金的方法可以抑制溅射时产生结瘤和异常放电。例如，在专利文献I中，公开了在空隙部分填充与靶主体的铟锡原子数比相等的铟-锡合金的方法。但是，为此，需要测定靶主体的铟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：挂野崇，铃木了，栗原敏也，中村祐一郎，关和广，牧野修仁，熊原吉一，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，
类型：
国别省市：