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本发明公开了一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法，其步骤为；（1）清洗基片：将基片在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗10min，然后用氮气干燥后放入溅射真空室；（2）溅射Mo薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯Mo靶，纯度达到99.99%，调...
该专利属于成都欣源光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都欣源光伏科技有限公司授权不得商用。

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