具有层叠磷光体层的LED晶片制造技术

具有生长衬底（32）的LED晶片例如由热可释放粘合剂（36）附着到载体衬底（38），从而LED层夹于两个衬底之间。然后比如通过激光剥离来去除生长衬底（32）。然后蚀刻（44）LED层的暴露表面（46）以提高光提取。与LED匹配的预制磷光体片（48）然后被粘附到暴露的LED层。然后切割（54）磷光体片（48）、LED层（30）并且可选地切割载体衬底（38）以分离LED。通过热或者其它手段从载体衬底释放LED芯片，并且使用取放机器在底座晶片上装配个别LED芯片。然后切割底座晶片以产生个别LED。有源层可以生成蓝光，并且蓝光和磷光体光可以生成具有预定义白色点的白光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有用于将LED发射进行波长转换的叠加磷光体层的发光二极管(LED)并且具体地涉及一种在LED之上层叠磷光体层的技术。
技术介绍
现有技术的图I图示了在底座晶片12的部分上装配的常规倒装芯片LED芯片10。在倒装芯片中，η和ρ接触二者形成于LED芯片的相同侧上。LED芯片10由在生长衬底、比如蓝宝石衬底上生长的包括η层14、有源层15和ρ 层16的半导体外延层形成。在图I中已经通过激光剥离、蚀刻、研磨或者通过其它技术来去除生长衬底。在一个例子中，外延层基于GaN，并且有源层15发射蓝光。发射UV光的LED芯片也适用于本专利技术。金属电极18电接触ρ层16，并且金属电极20电接触η层14。在一个例子中，电极18和20是向陶瓷底座晶片12上的阳极和负极金属焊盘22和24超声地焊接的金焊盘。底座晶片12具有通向用于结合到印刷电路板的底部金属焊盘26和28的传导通路24。许多LED装配于底座晶片12上并且将稍后被单一化以形成个别LED/底座。可以在都通过引用而结合于此、受让人的第6，649，440号和第6，274，399号美国专利以及美国专利公开US2006/0281203 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G巴辛，PS马丁，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，
类型：
国别省市：