用于在红外上转换装置上提供电荷阻挡层的方法和设备制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在红外上转换装置上提供电荷阻挡层的方法和设备相关申请案的交叉引用本申请案请求于2010年5月24日申请的第61/347,696号美国临时申请案的权利，所述申请案的全文（包括任何图形、表格或图式）在此以引用的方式并入本文中。
技术介绍
由于在夜视、测距、安全及半导体晶片检查中的潜在应用，红外（IR）至可见光上转换装置已引起大量研究兴趣。早期的近红外（NTR）上转换装置大多都基于无机半导体的异质结构。这些装置由两个串联部分组成：一个部分用于光电探测，且另一部分用于荧光。上转换装置主要通过光电探测方法来区分。这些装置的上转换效率通常很低。举例来说，一个集成发光二极管（LED）与基于半导体的光电探测器的NTR至可见光上转换装置呈现的最大外部转换效率为0.3%。具有与有机发光二极管（OLED）集成的无机InGaAs/InP光电探测器的混合式有机/无机上转换装置呈现的外部转换效率仅为0.25%。制造和加工此类无机和混合式上转换装置较贵，并且，此类装置的制造不符合大面积应用。Ni等人的Jpn.J.Appl.Phys.2001,40,L948和Chikamatsu等人的Appl.P...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.24 US 61/347,6961.一种用于感知红外(IR)辐射的装置，所述装置包含：阳极；空穴阻挡层；无机的IR感知层，所述无机的IR感知层通过所述空穴阻挡层与所述阳极分离；有机发光装置，其包含有机发光层及阴极，其中当电势施加到所述阳极与所述阴极之间时，并且，当IR辐射入射到所述无机的IR感知层上时，输出电磁辐射产生于所述有机发光层中，以及其中仅有一个有机发光装置放置于所述无机的IR感知层和所述阴极之间。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述空穴阻挡层包含材料，所述材料选自由BCP、UGH2、BPhen、Alq3、mCP、C60、3TPYMB、ZnO纳米颗粒及以上各物的组合组成的群。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述空穴阻挡层包含无机材料。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述空穴阻挡层包含ZnO。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述有机发光层只在IR辐射入射到所述无机的IR感知层上时产生所述输出电磁辐射。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述阳极为透明的，并且，所述阴极为透明的。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述阳极包含材料，所述材料选自由ITO、IZO、ATO、AZO及碳纳米管组成的群。8.根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极包含材料，所述材料选自由LiF/Al、Ag、Ca:Mg、LiF/Al/ITO、Ag/ITO、CsCO3/ITO及Ba/Al组成的群。9.根据权利要求1所述的装置，其中所述有机发光层包含材料，所述材料选自由MEH-PPV、Alq3及FIrpic组成的群。10.根据权利要求1所述的装置，其中所述无机的IR感知层包含材料，所述材料选自由PbSe及PbS组成的群。11.根据权利要求1所述的装置，进一步包含空穴传输层，其中所述空穴传输层分离所述有机发光层与所述无机的IR感知层。12.根据权利要求11所述的装置，其中所述空穴传输层包含材料，所述材料选自由TAPC、NPB及TPD组成的群。13.根据权利要求1所述的装置，所述装置进一步包含电子传输层，其中所述电子传输层分离所述有机发光层与所述阴极。14.根据权利要求13所述的装置，其中所述电子传输层包含材料，所述材料选自由3TPYMB、BCP、BPhen及Alq3组成的群。15.根据权利要求1所述的装置，其中通过从所述阴极注入的电子结合从所述无机的IR感知层注入的空穴在所述有机发光层中产生所述输出电磁辐射。16.根据权利要求15所述的装置，其中从所述阴极注入的所述电子从所述阴极穿过电子传输层到所述有机发光层。17.根据权利要求11所述的装置，其中从所述无机的IR感知层注入的所述空穴从所述无机的IR感知层穿过所述空穴传输层到所述有机发光层。18.根据权利要求1所述的装置，其中输出电磁辐射直到所述电势达到阈值幅度才产生。19.一种探测红外(IR)辐射的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰基·索，金度永，宋东佑，伽利略·萨拉斯克塔，巴恩德拉克·K·普拉丹，
申请(专利权)人：佛罗里达大学研究基金会公司，纳米控股有限公司，
类型：
国别省市：
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