存储器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器的制造方法。提供一基底，基底包括一存储胞区与一周边区，存储胞区形成多个第一栅极，第一栅极之间具有多个第一开口。于存储胞区的基底上形成一氮化层，氮化层覆盖第一栅极与第一开口。于周边区的基底上形成一氧化层。进行一氮化工艺，使氧化层被氮化成一氮化氧化层。于基底上形成一导体层，导体层包括位于存储胞区的基底上的一覆盖层，以及位于周边区的基底上的多个第二栅极，其中覆盖层覆盖氮化层且填满第一开口。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器技术，且特别涉及一种存储器的制造方法。
技术介绍
一般来说，随着快闪存储器的尺寸逐渐缩小，为了克服愈来愈小的线宽以及防止对准失误(misalignment),在存储胞区会采用自行对准接触窗(self-aligned contact,SAC)工艺与自行对准浮置栅极(self-aligned floating gate, SAF)工艺。然而，以快闪存储器为例，当对存储胞区进行自行对准接触窗工艺或是自行对准浮置栅极工艺时，必须考虑到此二种工艺本身对周边元件区所产生的工艺复杂化及所使用的热工艺可能会影响到周边区的元件特性，诸如导致栅极的特性劣化，或栅氧化层中发生 硼穿透(boron penetraion)效应，因而对热工艺的温度等参数进行调整。也就是说，为了顾及周边区的元件特性，可能必须牺牲存储胞区的元件的较佳工艺条件，因此难以进一步提升存储器的元件特性。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器的制造方法，使存储器具有良好的元件特性。本专利技术提出一种存储器的制造方法。提供一基底，基底包括一存储胞区与一周边区，存储胞区形成多个第一栅极，第一栅极之间具有多个第一开口。于存储胞区的基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底包括一存储胞区与一周边区，该存储胞区形成多个第一栅极，所述多个第一栅极之间具有多个第一开口；于该存储胞区的该基底上形成一氮化层，该氮化层覆盖所述多个第一栅极与所述多个第一开口；于该周边区的该基底上形成一氧化层；进行一氮化工艺，使该氧化层被氮化成一氮化氧化层；以及于该基底上形成一导体层，该导体层包括位于该存储胞区的该基底上的一覆盖层，以及位于该周边区的该基底上的多个第二栅极，其中该覆盖层覆盖该氮化层且填满所述多个第一开口。

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括 提供一基底，该基底包括一存储胞区与一周边区，该存储胞区形成多个第一栅极，所述多个第一栅极之间具有多个第一开口； 于该存储胞区的该基底上形成一氮化层，该氮化层覆盖所述多个第一栅极与所述多个第一开口 ； 于该周边区的该基底上形成一氧化层； 进行一氮化工艺，使该氧化层被氮化成一氮化氧化层；以及 于该基底上形成一导体层，该导体层包括位于该存储胞区的该基底上的一覆盖层，以及位于该周边区的该基底上的多个第二栅极，其中该覆盖层覆盖该氮化层且填满所述多个第一开口。2.根据权利要求I所述的存储器的制造方法，其特征在于，还包括 于该基底上形成一阻障层，以覆盖该周边区的所述多个第二栅极以及该存储胞区的该覆盖层； 于该周边区的该基底上形成一第一材料层； 移除该存储胞区的部分该阻障层与部分该覆盖层，以形成多个第二开口，各该第二开口暴露各该第一栅极的顶部； 于各该第二开口中形成一第一图案； 移除剩余的该覆盖层，以于该存储胞区形成多个接触窗开口 ；以及 于各该接触窗...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖修汉，蒋汝平，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：