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本发明公开了一种存储器的制造方法。提供一基底，基底包括一存储胞区与一周边区，存储胞区形成多个第一栅极，第一栅极之间具有多个第一开口。于存储胞区的基底上形成一氮化层，氮化层覆盖第一栅极与第一开口。于周边区的基底上形成一氧化层。进行一氮化工艺，...
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