用于采用暂时接合制造半导体结构的工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种用于采用暂时接合制造半导体结构的工艺。本发明专利技术涉及用于制造半导体结构的工艺，其特征在于包括下述步骤：提供（E1）包括晶种基板（1）和覆盖晶种基板（1）的弱化的牺牲层（2）的操作基板（1，2）；将操作基板（1，2）与载具基板（3）连接（E2）；可选地对载具基板（3）进行处理（E3）；在牺牲层（2）处分离（E4）操作基板以形成半导体结构；以及移除（E5）晶种基板（1）上存在的牺牲层（2）的任何残余。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种用于电子、光学或微电子应用的半导体结构的生产。更准确地，本专利技术涉及ー种用于通过将ー个基板暂时接合到另ー个基板来制造半导体结构的エ艺。本专利技术还涉及在这样的エ艺中采用的半导体组装。
技术介绍
在用于制造半导体结构的エ艺中，可以转移例如包括集成电路的层 。这样的转移特别地允许电路附着在除了用于生产这些电路的基板之外的其它基板，或者允许电路被堆叠以形成“3D”组件。如果将转移的薄层的厚度很小(S卩，低于200 μ m)，则其会在转移过程中易于破碎或者裂开或者更一般地来说，其可能损坏。从文献EP0786801获知的用于加强将转移的层或者将被处理的基板的技术方案暂时地将操作基板接合到包括将要转移的层的基板。因此可以自由地操作将要转移的层或者将被处理的基板并且可以使其进行其转移或处理所需要的所有制造步骤。在文献EP0786801中，操作基板包括解理区域，其在エ艺的结束时允许沿着该解理区域移除该操作基板。一个问题在于这样的操作基板消耗材料。此外，不容易回收剩余部分以便于重新使用。这是因为需要实施打磨操作，从而增加了エ艺的持续时间和成本。另一已知的不消耗材料的技术方案借助于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体结构的工艺，其特征在于包括下述步骤：？提供（E1）操作基板（1，2），所述操作基板包括晶种基板（1）和覆盖所述晶种基板（1）的弱化的牺牲层（2）；？将所述操作基板（1，2）与载具基板（3）连接（E2）；？可选地对所述载具基板（3）进行处理（E3）；？在所述牺牲层（2）处分离（E4）所述操作基板以形成所述半导体结构；以及？移除（E5）所述晶种基板（1）上存在的所述牺牲层（2）的任何残余。

【技术特征摘要】
2011.06.23 FR 11555481.一种用于制造半导体结构的工艺，其特征在于包括下述步骤 -提供(El)操作基板(I，2)，所述操作基板包括晶种基板(I)和覆盖所述晶种基板(I)的弱化的牺牲层(2)； -将所述操作基板(I，2 )与载具基板(3 )连接(E2 ); -可选地对所述载具基板(3)进行处理(E3)； -在所述牺牲层(2)处分离(E4)所述操作基板以形成所述半导体结构；以及 -移除(E5)所述晶种基板(I)上存在的所述牺牲层(2)的任何残余。2.如权利要求I所述的工艺，其中，通过将原子物质引入到所述操作基板(1，2)的所述牺牲层(2)中来对所述牺牲层(2)进行弱化。3.如权利要求I和2中的任一项所述的工艺，其中，所述晶种基板(I)具有处于所述载具基板(3)的热膨胀系数CTE2附近的热膨胀系数CTEl，使得(CTE1-CTE2)/CTE1〈50%。4.如前述权利要求中的一项所述的工艺，其中，所述操作基板(1，2)包括布置在所述晶种基板(I)和所述牺牲层(2 )之间的中间层(20 )以便于促进形成所述牺牲层(2 )的材料到所述晶种基板(I)的粘附。5.如前述权利要求中的一项所述的工艺，其中，所述牺牲层(2)具有弱区域(2”’)并且限定位于所述操作基板(1，2)的表面和所述弱区域(2”’)之间的层(2”)。6.如前述权利要求中的一项所述的工艺，其中，在分离步骤(E3)之前，所述工艺包括将所述载具基板(3)连接(E30)到主基板(4)的步骤。7.如前述权利要求中的一项所述的工艺，其中，所述晶种基板(I)被选择为具有处于所述主基板(4)的热膨胀系数CTE2附近的热膨胀系数CTE1。8.如前述权利要求中的一项所述的工艺，其中，所述载具基板(3)包括集成电路部分。9.如前述权利要求中的一项所述的工艺，其中，分离步骤通过在至少200°C的温度进行退火来提供能量。10.如权利要求2至9中的一项所述的工艺，其中，引入原子物质的步骤以IXI...

【专利技术属性】
技术研发人员：法布里斯·勒泰特，迪迪埃·朗德吕，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：