一种用于集成电路芯片的密封环结构制造技术

本发明专利技术公开了一种用于集成电路芯片的密封环结构，所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。本发明专利技术既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路的影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等，且结构简单，加工方便，具有极强的实用性，可广泛推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种密封环结构，具体说，是涉及一种用于集成电路芯片的密封环结构。
技术介绍
集成电路通常都是在硅片或其它半导体材料基板上制造，然后进行封装与测试。当封装时，必须先对集成电路进行切割(saw)。切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处。所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域毁坏。为了保护集成电路中心的电路区域，一般会在集成电路芯片上介于电路区域以及其切割道之间，配置密封环(seal ring)。密封环可以防止任何裂痕(例如，因切割集成电路时的应力(stress)所导致的裂痕)侵入集成电路内部的电路区域。此外，密 封环亦可避免湿气渗入，或是避免其它化学物质进入而损坏集成电路内部的电路区域。传统的密封环是由掺杂的衬底，金属连接线和通孔及介质材料组成的环状结构。虽然此密封环可以防止芯片切割产生的裂痕及湿气渗入，但其可能会传导不同电路区域中的噪声至其它电路或者传导外部干扰电磁讯号至芯片内部的集成电路，进而影响到整体集成电路的运作。对射频芯片而言，由于其具有低噪声放大器(LNA)，更容易受来自密封环传播的噪声的影响。为了抑制噪声的传播，现已使用一些间歇中断的密封环来解决这一问题；虽然其有助于降低噪声的传播，但对可靠性存在一定风险。尤其在一些苛刻的环境条件下，水气可经由密封环的中断处进入集成电路芯片的内部使芯片加速老化。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的是提供一种既可防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路影响的用于集成电路芯片的密封环结构。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下一种用于集成电路芯片的密封环结构，其特征在于所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边(与芯片上的集成电路相邻接的侧边)上设有至少I个开口。作为一种优选方案，所述密封环的相邻两侧边均为双边结构，且每一个双边结构中的内侧边上均设有2个开口。作为另一种优选方案，所述密封环的相对两侧边均为双边结构，且每一个双边结构中的内侧边上均设有2个开口。作为进一步优选方案，所述密封环为双环结构，其中的外环为一密闭环，其中的内环采用上述结构。作为进一步优选方案，至少一个内侧边上因开口而被断开的区段通过金属线与地线焊盘相连接。与现有技术相比，本专利技术通过将密封环的至少ー个侧边设为双边结构，并且在与芯片上的集成电路相邻接的至少ー个内侧边上设有至少I个开ロ，实现了既可以防止水气的穿透，又能減少来自密封环传递的噪声对集成电路的影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等，且结构简单，加工方便，具有极强的实用性，可广泛推广应用。附图说明图I是实施例I提供的一种用于集成电路芯片的密封环结构的示意图；图2是实施例2提供的一种用于集成电路芯片的密封环结构的示意图；图3是实施例3提供的一种用于集成电路芯片的密封环结构的示意图；图4是实施例4提供的一种用于集成电路芯片的密封环结构的示意图； 图5是实施例5提供的一种用于集成电路芯片的密封环结构的示意图。图中1、密封环；2、集成电路；3、双侧边；31、内侧边；32、开ロ ；4、金属线；5、夕卜环。具体实施例方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进ー步详细、完整地说明。实施例I如图I所示本实施例提供的一种用于集成电路芯片的密封环结构，其特征在于所述密封环I共有四个侧边,其中ー个侧边3为双边结构，且所述双边中的内侧边31 (与芯片上的集成电路2相邻接的侧边)上设有2个开ロ 32。所述开ロ 32可用来屏蔽噪声的干扰；此外，采用外封闭的密封环I可以防止芯片不被应力破坏以及切割芯片导致的裂纹，并且可避免水气的渗入。实施例2如图2所示，本实施例与实施例I的不同之处仅在于将内侧边31上因开ロ而被断开的区段通过金属线4与地线焊盘(图中未示出)相连接，即，进行接地连接(groundconnection),以更好地屏蔽噪声电流或信号。实施例3如图3所示，本实施例与实施例I的不同之处仅在于密封环的相邻两侧边均采用双边结构,且每个双边结构中的内侧边31上均设有2个开ロ 32。实施例4如图4所示，本实施例与实施例I的不同之处仅在于密封环的相对两侧边均采用双边结构,且每个双边结构中的内侧边31上均设有2个开ロ 32。实施例5如图5所示，本实施例与实施例I的不同之处仅在于所述密封环为双环结构，其中的外环5为ー密闭环，其中的内环结构与实施例I所述相同。此实施例増加的外环可更有效防止芯片切割产生裂纹或水气渗入内部。本专利技术中所述的双边结构数量、开ロ数量及外环数量均可根据所需求的屏蔽效果进行相应地组合和増加。因此，有必要在此说明的是以上实施例只用于对本专利技术的技术方案作进ー步详细地说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，本领域的技术人员根据本专利技术的上述内容作出的一些非本质的改 进和调整均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于集成电路芯片的密封环结构，其特征在于：所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。

【技术特征摘要】
1.一种用于集成电路芯片的密封环结构，其特征在于所述密封环的至少ー个侧边为双边结构,且至少ー个双边结构中的内侧边上设有至少I个开ロ。2.根据权利要求I所述的密封环结构，其特征在于所述密封环的相邻两侧边均为双边结构,且每ー个双边结构中的内侧边上均设有2个开ロ。3.根据权利要求I所述的密封环结构，其特征在于所述密封环的相对两侧边均为...

【专利技术属性】
技术研发人员：何佳，郑祺，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：