【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热解氮化硼制品制备
,具体地说是一种热。
技术介绍
热解氮化硼(简称PBN)具有纯度高、无毒、耐高温、耐酸碱、耐盐及耐有机溶剂、性质稳定;在高温下与绝大多数熔融金属、半导体材料不润湿、不反应;电绝缘性能好和高温下无杂质挥发;抗热震性优异、热导性好和热膨胀系数低;电阻高、介电强度高、介电常数小、磁损耗正切低并且具有良好的透微波和红外线性能等等诸多优点。被广泛用作半导体单晶及III -V族化合物合成用的坩埚、基座;原位合成砷化镓、磷化铟、磷化镓等单晶的液封直拉法系列坩埚;分子束外延(MBE)用的系列坩埚;垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布氏(VB)法系列坩埚;热解氮化硼/热解石墨(PBN/PG)复合加热器涂层;高温绝缘流体喷嘴;石墨 加热器绝缘涂层;金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统绝缘板;异形坩埚及异形石墨件涂层;晶片退火工艺用复合加热器等等。气相沉积炉是制备热解氮化硼制品的核心设备。为了达到热解氮化硼的高温反应条件,确保制备高纯度热解氮化硼制品,气相沉积炉内的温度会持续保持在1800 2000度。气相沉积炉的外壳为钢材料制成,钢质外壳内具有 ...
【技术保护点】
制备热解氮化硼制品的气相沉积炉,由炉体和炉盖构成,其特征在于,其中炉体设于相变保护套内,在炉体与相变保护套之间填充有相变保温介质形成相变保温层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何军舫,王军勇,
申请(专利权)人:北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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