CVD设备和该CVD设备的控制方法技术

本发明专利技术提出一种CVD设备，包括：腔体，腔体形成腔室；设置在腔室顶部的电极板；呈水平放置的多个传动轮，传动轮设置在腔室之内；载板，载板放置在多个传动轮之上；第一升降机构，分别位于电极板的两端，用于支撑电极板，并控制电极板垂直移动；和控制器，与传动轮和所述第一升降机构相连，控制器用于控制多个传动轮的转动以及第一升降机构的升降，以将电极板和载板移出或者移入腔室。本发明专利技术还提出一种控制方法。本发明专利技术实施例的CVD设备具有电极板更换速度快、能耗低的优点。并且该CVD设备的控制方法具有控制简单、控制精度高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种CVD设备和该CVD设备的控制方法。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备根据成膜方式的不同主要分为直接法和间接法两种，这两种设备都是通过载板承放晶片。直接法的载板接地，上电极接中频或者射频，在上电极和载板之间形成等离子体。间接法的载板不接地，只起到传输作用，电极板接高频或者微波，离子在放电空间中结合成减反膜并由扩散作用沉积在晶片表面上。间接法多为下镀膜方式，镀膜时晶片放在腔室顶部，等离子体源在下面，成膜面朝下，但由于间接法只能实现表面钝化，所以限制了短路电流的提升。而直接法成膜致密，可以实现成膜的体钝化，因此可以提升短路电流。如图I所示，为传统的平板式直接法上镀膜PECVD装置100。腔室111内一般处于真空状态，工艺气体通过进气孔120进入腔室111，射 频电源170通过电极板130向腔室111内提供能量，载板140直接接地，在电极板130和载板140之间产生射频电场，将工艺气体激发成等离子体，从而对放置于载板140上的晶片进行镀膜。但由于成膜表面朝上，因此在工艺过程中产生的颗粒，或长时间运行后电极板130剥落的颗粒可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CVD设备，其特征在于，包括：腔体，所述腔体形成腔室；设置在所述腔室顶部的电极板；呈水平放置的多个传动轮，所述多个传动轮设置在所述腔室之内；载板，所述载板放置在所述多个传动轮之上，所述传动轮转动以带动所述载板水平移动；第一升降机构，所述第一升降机构分别位于所述电极板的两端，所述第一升降机构用于支撑所述电极板，并通过升降改变所述电极板与所述载板间的垂直距离和控制器，所述控制器与所述多个传动轮和所述第一升降机构相连，所述控制器用于控制所述多个传动轮的转动以及所述第一升降机构的升降，以将所述电极板和所述载板移出或者移入所述腔室。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁强，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：