【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光伏电池生产设备
,更具体地说,涉及一种PECVD的沉积装置及其沉积槽用锁紧装置。技术背景 光伏电池生产过程中,需要在光伏电池的半成品电池即硅片的表面镀上一层减反射膜。目前,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD, Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)的方法在娃电池片表面形成减反射膜。链式上镀膜PECVD的反应腔室中,将硅电池片放置在沉积槽内,氢化硅和氨气在等离子状态下,在硅电池片的表面形成氮化硅膜。在硅电池片表面镀膜的过程中,氮化硅不可避免的会沉积到沉积槽表面,在沉积槽表面形成氮化硅粉末。当沉积槽上的氮化硅粉末沉积的较多时,较易脱离沉积槽并掉落到硅电池片表面,严重影响了镀膜的质量,最终降低了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。所以氮化硅粉末沉积的较多时,需要将沉积槽拆卸下来,对沉积槽进行清洗或者更换新的沉积槽。沉积槽固定在反应腔室内壁上,一般反应腔室内壁上设置有用于支撑沉积槽的托架,然后通过多个螺丝和多个螺母将沉积槽固定在托架上。需要清洗或者更换新的沉积槽时,要将沉积槽拆卸下来,然后再安装上。 ...
【技术保护点】
一种PECVD的沉积槽用锁紧装置,用于将所述沉积槽(7)固定于托架(2)上,其特征在于,包括:第一锁件(6);和用于贯穿所述沉积槽(7)的侧壁的第二锁件(4),所述第二锁件(4)包括用于与所述托架(2)固定相连的固定端和用于外伸于所述沉积槽(7)的自由端,所述第二锁件(4)的自由端开设有用于夹住所述第一锁件(6)的紧固槽(41)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:孙双庆,杜颖涛,李江超,
申请(专利权)人:英利能源中国有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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