反应腔装置及具有其的基片处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种反应腔装置，包括：腔室本体，腔室本体内限定有反应腔室；多个托盘，多个托盘设置在反应腔室之中且可绕中心轴转动；和整流片，所述多个托盘之间间隔设置所述整流片，且整流片位置固定不动。本发明专利技术还提出一种基片处理设备。通过本发明专利技术实施例提出的反应腔装置，可有效地增强托盘的温度补偿效果，提高托盘的温度均匀性。通过本发明专利技术实施例提出的基片处理设备，可使基片表面温度更加均匀，进而提高基片的成膜工艺指标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种反应腔装置及具有该反应腔装置的基片处理设备。
技术介绍
目前随着技术的发展，化学气相生长(Chemical Vapor Deposition,简称为CVD)技术已经得到了越来越多的应用。特别是其中的金属有机化学气相生长(Metal OrganicChemical Vapor Deposition，简称为M0CVD)技术，因其具有镀膜成分易控、镀膜均匀致密以及附着力好等优点而逐渐成为工业界主要的镀膜技术。所谓MOCVD技术是指，利用金属有机化合物(Metal Organic,简称为MO)作为源物质的一种化学气相生长技术,其原理为使有机金属原料气体、氢化气体或卤化气体进行热分解反应而在气相中使薄膜生长。在实 际工艺中，将进行上述CVD反应的设备称为CVD设备；将使用MO气体进行CVD反应的设备称为MOCVD设备。通常，在进行反应而生长的结晶膜中存在化合物半导体，例如存在GaAs、GaInP,GaN、AlN、SiC等。其中，GaN因其带隙宽度较大被而作为蓝色发光晶体材料备受关注，相应地，使用GaN的蓝色发光二极管(Light Emitting D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔装置，其特征在于，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有反应腔室；多个托盘，所述多个托盘设置在所述反应腔室之中且可绕中心轴转动；和整流片，所述多个托盘之间间隔设置所述整流片，且所述整流片位置固定不动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周卫国，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：