半导体器件缺陷的检测方法技术

一种半导体器件缺陷的检测方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成MOS晶体管，所述MOS晶体管包括栅极、源/漏极；在MOS晶体管的栅极上及源/漏极的半导体衬底上形成金属硅化物层；对金属硅化物层进行检测；如检测出无缺陷，则继续在后续晶圆上进行半导体器件制作，如不符合要求，则调整相应制造设备的参数。本发明专利技术避免了在成品后再检测而造成的大批次的晶圆浪费的情况，在降低浪费率的同时也提高了成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体检测领域，尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路尺寸的减小，构成电路的器件必须更密集地放置，以适应芯片上可用的有限空间。而随着器件的不断变小，其关键尺寸及膜厚也越来越难控制。因此，在集成电路制造业中对薄膜及器件完整性(GOI)的控制非常重要。在现有技术中，因产品流片周期较长(一般为45天以上)，如果膜层或器件有缺陷将造成很大的影响。目前在半导体制造业中，有各种各样的检测设备，如SEM(Scan Electron Microscope,扫描电子显微镜)、TEM(TransmissionElectron Microscope,透身寸电子显微镜)及FIB (incused Ion Beam，聚焦离子束)等。其中，如TEM是用于检测器件的薄膜的形貌、尺寸及特性的一个重要工具。它的工作原理如日本专利JP2004M5841中介绍的是将需检测的样片以切割、研磨、离子减薄等方式减薄到大约0.2 μ m，然后放入TEM 观测室，以高压加速的电子束照射样片，将样片形貌放大、投影到屏幕上，照相，然后进行分析。TEM的一个突出优点是具有较高的分辨率，可观测极薄薄膜的形貌及尺寸。现有的检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：