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一种半导体器件缺陷的检测方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成MOS晶体管，所述MOS晶体管包括栅极、源/漏极；在MOS晶体管的栅极上及源/漏极的半导体衬底上形成金属硅化物层；对金属硅化物层进行检测；如检测出无缺陷，则继续在后续晶圆上进行半...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。