【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，属于半导体封装
技术介绍
传统的引线框结构主要有两种第一种采用金属基板进行化学蚀刻及电镀后，在金属基板的背面贴上一层耐高温的胶膜形成可以进行封装过程的引线框载体(如图83所示)；第二种采用金属基板首先在金属基板的背面进行化学半蚀刻，再将前述已经过化学半蚀刻的区域进行塑封料包封，之后将金属基板的正面进行内引脚的化学半蚀刻，完成后再进行引线框内引脚表面的电镀工作，即完成引线框的制作(如图85所示)。而上述两种引线框在封装过程中存在了以下不足点 第一种1)、此种的引线框架因背面必须要贴上一层昂贵可抗高温的胶膜，所以直接增加了高昂的成本；2)、也因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在封装过程中的装片工艺只能使用导电或是不导电粘结物质，而完全不能采用共晶工艺以及软焊料的工艺进行装片，所以可选择的产品种类就有较大的局限性；3)、又因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程中的金属线键合工艺中，因为此可抗高温的胶膜是软性材质，所以造成了金属线键合参数的不稳定，严重的影响了金属线键合的质量及产品可靠度的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种先镀后刻四面无引脚封装结构，其特征在于它包括外引脚(2)，所述外引脚 (2)正面通过多层电镀方式形成内引脚(4)，所述内引脚(4)与内引脚(4)之间通过导电或不导电粘结物质(8)设置有一个芯片(5)，所述内引脚(4)正面延伸到芯片(5)旁边，所述芯片(5)正面与内引脚(4)正面之间用金属线(6)连接，所述内引脚(4)、芯片(5)和金属线 (6)外包封有塑封料(7)，所述外引脚(2)外围的区域以及外引脚(2)与外引脚(2)之间的区域嵌置有填缝剂(10)，且外引脚(2)的背面露出填缝剂(10)外，在露出填缝剂(10)外的外引脚(2)的背面设置有第二金属层(9)。2.根据权利要求1所述的一种先镀后刻四面无引脚封装结构，其特征在于所述填缝剂(10)采用有填料填充物质和无填料填充物质。3.—种如权利要求1所述的先镀后刻四面无引脚封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤步骤一、取金属基板步骤二、贴膜作业利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜， 步骤三、金属基板正面去除部分图形的光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行图形的曝光、显影与去除部分图形的光刻胶膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的区域图形， 步骤四、电镀第一金属层对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的图形区域内通过多层电镀方式形成第一金属层，步骤五、金属基板正面及背面去膜作业将金属基板正面及背面余下的光刻胶膜去除，在金属基板正面相对形成内引脚， 步骤六、装片打线在步骤五形成的内弓丨脚之间的金属基板正面通过导电或不导电粘结物质进行芯片的植入，以及在芯片正面与内引脚正面之间进行键合金属线作业， 步骤七、包封利用塑封料注入设备，将已完成芯片植入以及键合金属线作业的金属基板进行包封塑封料作业，并进行塑封料包封后的固化作业， 步骤八、贴膜作业利用贴膜设备在完成包封以及固化作业的金属基板在正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，步骤九、金属基板背面去除部分图形的光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤八完成贴膜作业的金属基板背面进行图形的曝光、显影与去除部分图形的光刻胶膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形， 步骤十、电镀第二金属层在步骤九中金属基板背面去除部分光刻胶膜的图形区域内电镀第二金属层9， 步骤十一、金属基板正面及背面去膜作业将金属基板正面及背面余下的光刻胶膜去除， 步骤十二 贴膜作业利用贴膜设备在完成电镀第二金属层且去除余下光刻胶膜后的金属基板在正面及背面再次贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，步骤十三、...
【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，谢洁人，吴昊，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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