一种制作高选择性半导体薄膜方法技术

本发明专利技术公开了一种制作高选择性半导体薄膜方法，包括：配制Fe(NO3)3溶液、表面活性剂溶液和吡咯水溶液；在冰水浴中，在剧烈搅拌下，将吡咯水溶液加入到表面活性剂溶液中，再搅拌一定时间形成吡咯与表面活性剂的混合溶液；在避光条件下，边搅拌边将配制的Fe(NO3)3溶液缓慢滴加至该吡咯与表面活性剂的混合溶液中，并继续搅拌；用0.22μm的有机过滤器过滤，滴加少量HNO3调节pH值在1至2范围内，制得可通过自组装成膜的滤液；利用该可通过自组装成膜的滤液制备增强声表面波器件选择性的敏感膜。利用本发明专利技术，获得了选择性极高的薄膜材料，可常温检测NO2。该方法所需原材料易得，实验设备成本低，实验过程简单易于操作及成膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及声表面波气体传感器
，特别是。
技术介绍
随着工业的高速发展，随之带来了一系列环境问题，尤其是与人类息息相关的大气环境。传感器对有毒有害气体的监测，由于其自身的优势得到广泛应用。其中声表面波 (SAW)传感器更是因其具有高效、快速、耐用等技术优势而成为目前的研究热点。SAff传感器中的敏感膜决定着传感器的灵敏度与选择性，而选择性是目前面临的技术难点。通过掺杂或模式识别的方式在一定程度上改善了传感器的选择性，但需要做大量的实验工作用于掺杂剂的筛选与数据库的建立。在敏感膜的制备过程中引入与待测气体相似的的官能团，使其在成膜后产生相应的空穴，具有分子识别功能，可以大大提高传感器的选择性。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的目的是提供，以获得选择性极高的薄膜材料。( 二)技术方案为达到上述目的，本专利技术提供了，该方法包括步骤1 配制!^e (NO3) 3溶液、表面活性剂溶液和吡咯水溶液；步骤2 在冰水浴中，在剧烈搅拌下，将吡咯水溶液加入到表面活性剂溶液中，再搅拌一定时间形成吡咯与表面活性剂的混合溶液；步骤3 在避光条件下，边搅拌边将配制的狗(NO3) 3溶液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶甜春，闫学锋，李冬梅，刘明，侯成诚，周文，汪幸，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：