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本发明公开了一种制作高选择性半导体薄膜方法，包括：配制Fe(NO3)3溶液、表面活性剂溶液和吡咯水溶液；在冰水浴中，在剧烈搅拌下，将吡咯水溶液加入到表面活性剂溶液中，再搅拌一定时间形成吡咯与表面活性剂的混合溶液；在避光条件下，边搅拌边将配制...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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