集成电路元件的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路元件的形成方法，根据一实施例提供一种具有基脚形状的铜柱工艺，在凸块下冶金层上采用两道不同光敏性及厚度的光致抗蚀剂膜。在曝光显影工艺后，在第一光致抗蚀剂膜中形成具有实质上垂直的侧壁的第一开口，并在第二光致抗蚀剂层中形成具有倾斜侧壁的第二开口。第二开口的底部直径大于第二开口的顶部直径，且第二开口的底部直径大于第一开口的直径。接着形成导电层于第一开口及第二开口中，之后移除两道光致抗蚀剂膜。本发明专利技术在不需额外化学或等离子体工艺的情况下，即可轻易定义基脚形状的尺寸，大幅节省制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造集成电路元件的方法，尤其涉及一种制造半导体集成电路中凸块结构的方法。
技术介绍
现有的集成电路由横向排列的百万个有源元件如晶体管及电容所组成。这些元件在初步工艺中彼此绝缘，但在后段工艺中将以内连线连接元件以形成功能电路。一般的内连线结构包含横向内连线如金属线路，与垂直内连线如通孔与接点。现有的集成电路其效能与密度的上限取决于内连线。在内连线结构的顶部上方，每一芯片表面上各自有对应的接合垫。经由接合垫，芯片可电性连接至封装基板或其他裸片。接合垫可应用于打线接合或倒装芯片接合。在倒装芯片封装中，凸块可在封装结构的导线架或基板，与芯片的输出/ 输入焊盘之间形成电性接触。上述凸块结构除了凸块本身，还具有凸块与输出/输入焊盘之间的凸块下冶金层(UBM)。UBM通常含有粘着层、阻挡层、与润湿层依序形成于输入/输出焊盘上。凸块的分类可依材质分为焊料凸块、金凸块、铜柱凸块、或混合金属凸块。近来发展的铜柱凸块技术中，采用铜柱凸块而非焊料凸块将电子构件连接至基板。铜柱凸块的间距较小，其短路桥接的可能性较低，可降低电路的电容负载并提高电子构件的操作频率。在采用铜柱的完全倒装芯片封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种集成电路元件的形成方法，包括：形成一凸块下冶金层于一半导体基板上；形成一光致抗蚀剂结构于该凸块下冶金层上，其中该光致抗蚀剂结构包括一第一光致抗蚀剂膜与位于该第一光致抗蚀剂膜上的一第二光致抗蚀剂膜，且该第一光致抗蚀剂膜的光敏性不同于该第二光致抗蚀剂膜的光敏性；形成一开口于该光致抗蚀剂结构中以露出部分的该凸块下冶金层，其中该开口包括一第一开口位于该第一光致抗蚀剂膜中及一第二开口位于该第二光致抗蚀剂膜中，且该第一开口的底部直径大于该第一开口的顶部直径；形成一导电层于该光致抗蚀剂结构的该开口中，且该导电层电性连接至露出的部分该凸块下冶金层；以及移除该光致抗蚀剂结构，其中该导电层形成一导电柱。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭正铮，陈承先，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71