集成电路元件的植锡球装置制造方法及图纸

本创作提供一种集成电路元件的植锡球装置，包括有：一加热装置、多个导热撑离体以及一集成电路元件承载座。该加热装置具有一顶平面，可加热该顶平面至一预定温度。多个导热撑离体以一矩阵排列位于该顶平面上，该导热撑离体具有一抵靠面，该抵靠面与顶平面相距有一高度，且可加热至该预定温度。该集成电路元件承载座具有一一与多个导热撑离体相对应的多个容置槽，该容置槽可容置且卡固一集成电路元件，该集成电路元件承载座具有一厚度，该厚度小于该高度。当该集成电路元件承载座贴靠而位于该顶平面上时，多个导热撑离体一一通过多个容置槽，以该抵靠面抵靠且承载该集成电路元件，使该集成电路元件与该集成电路元件承载座相分离。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本创作有关于一种植锡球装置，特别是指一种球阵式集成电路元件的植锡球装置。
技术介绍
随着电子产品朝轻、薄、短、小方面发展，因此电子产品内所使用的集成电路晶片也相对往微型、轻量及高密度封装来发展，而早期集成电路晶片封装是以对称脚位封装，简称DIP(Dual In-line Package)，其集成电路晶片上通常都设有许多接脚，以将集成电路晶片中不同作用的功能利用接脚连接于电路板上。然而，随着集成电路晶片渐渐朝微小型化的方向发展，其集成电路晶片的接脚也更加微小，而使得接脚与接脚之间的间距也更加的 密集，于焊接对位时势必更加困难。为满足集成电路晶片的发展需求，便有研发利用球格式封装(Ball Grid Array,BGA ;也称为锡球阵列封装)，此种BGA封装技术已经在笔记型电脑的记忆体、主机板晶片组等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用，相形之下，BGA封装技术具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。习知如美国第6，230，963B1号专利技术专利案所揭植锡球治具设计，其主要通过一吸气装置将锡球吸附在吸锡球座的锥形孔洞，并由吸气压力的解除使锡球自然释入CPU座体，故习知者为确保能产生足够的吸力，其必须倚赖较大型的吸气装置以提供强大吸力，否则因锡球真圆度的制造上差异，极易导致风漏现象而无法令锡球呈稳定吸附，也产生震动易位的情况；其次，当吸气压力消失欲使锡球落下时，则可能因静电现象或其他因素，造成锡球仍卡持残留在吸锡球座的孔洞，故难以提供CPU座体可精确植入锡球。而习知的锡球阵列IC在经过汰换取下后，无法加以重复使用，因其锡球在使用后需予以重植，方可再次利用，而锡球阵列IC锡球排列密集，过去或有以在一可熔性的贴纸上排列与锡球阵列IC同样排列位置的锡球，再将其贴上使用后的锡球阵列IC背面，后再予以加热，使贴纸熔去，即可留下新锡球在锡球阵列IC上，然以此方式进行锡球重植，非但效果不佳，且在人力时间及成本的花费上过巨，无法满足业者的需求，因此如何去解决上述的问题，一直是业者所急迫有待寻求解决的方案以及改进之处。
技术实现思路
本创作的目的在提供一种集成电路元件的植锡球装置，其由集成电路元件承载座所具有多个容置槽可一次容置多个集成电路元件，以达到大量且快速进行集成电路元件植锡球的功效。本创作的目的在提供一种集成电路元件的植锡球装置，其由容置槽容置集成电路元件为紧配合，可使集成电路元件承载座进行翻转时，集成电路元件不致掉离容置槽，以达到集成电路元件可双面植锡球的功效。本创作的目的在提供一种集成电路元件的植锡球装置，其由该集成电路元件承载座与导热撑离体具有一高度差，运用导热撑离体将使集成电路元件自容置槽中顶离而松脱紧配合，以达到可大量且快速取得植完锡球的集成电路元件成品的功效。本创作的目的在提供一种集成电路元件的植锡球装置，其由导热撑离体承载且传热至集成电路元件，以达到良好热接触及具有热集中的功效。为达到上述的目的，本创作提供本创作提供一种集成电路元件的植锡球装置，包括有一加热装置、多个导热撑离体、一集成电路元件承载座以及多个集成电路元件。该加热装置其具有一顶平面，该加热装置可提供热能加热该顶平面至一预定温度。多个导热撑离体其以一矩阵排列位于该顶平面上，该导热撑离体具有一抵靠面，该抵靠面与顶平面相距有一高度，该导热撑离体可传导该加热装置所提供热能，使该抵靠面加热至该预定温度。该集成电路元件承载座其具有一一与多个导热撑离体相对应的多个容置槽，该集成电路元件承载座具有一厚度，该厚度的长度尺寸小于该高度的长度尺寸。多个集成电路元件其为 一一对应且定位在多个容置槽中，该集成电路元件至少一侧面具有矩阵排列的多个锡球。其中，当该集成电路元件承载座贴靠而位于该顶平面上时，多个导热撑离体一一通过多个容置槽，以该抵靠面抵靠且承载该集成电路元件，使该集成电路元件与该集成电路元件承载座相分离。一种集成电路元件的植锡球装置，包括有一加热装置，其具有一顶平面，该加热装置提供热能加热该顶平面至一预定温度；多个导热撑离体，其以一矩阵排列位于该顶平面上，该导热撑离体具有一抵靠面，该抵靠面与顶平面相距有一高度，该导热撑离体传导该加热装置所提供热能，使该抵靠面加热至该预定温度；一集成电路元件承载座，其具有与多个导热撑离体相一一对应的多个容置槽，该集成电路元件承载座具有一厚度，该厚度的长度尺寸小于该高度的长度尺寸；多个集成电路元件，其为一一对应且定位在多个容置槽中，该集成电路元件至少一侧面具有矩阵排列的多个锡球；其中，当该集成电路元件承载座贴靠而位于该顶平面上时，多个导热撑离体一一通过多个容置槽，以该抵靠面抵靠且承载该集成电路元件，使该集成电路元件与该集成电路元件承载座相分离。该集成电路元件更具有一平面区，该平面区其贴靠该抵靠面。该集成电路元件的植锡球装置更包括有一锡球定位板，该锡球定位板其贴靠该集成电路元件承载座。该锡球定位板具有与多个集成电路元件相一一对应的多个开孔区。该开孔区具有与多个锡球相一一对应的多个开孔。本创作达到的有益技术效果在于，能达到大量且快速进行集成电路元件植锡球，可使集成电路元件承载座进行翻转时，集成电路元件不致掉离容置槽，以达到集成电路元件可双面植锡球，能使集成电路元件自容置槽中顶离而松脱紧配合，以达到可大量且快速取得植完锡球的集成电路元件成品的功效，能达到良好热接触及具有热集中的功效。附图说明图I为本创作集成电路元件的植锡球装置较佳实施例分解结构主视示意图。图2为本创作集成电路元件承载座较佳实施例俯视结构示意图。图3为本创作集成电路元件位于集成电路元件承载座较佳实施例主视剖面结构示意图。图4为本创作锡球定位板与集成电路元件承载座分离时较佳实施例主视剖面结构示意图。图5为本创作锡球定位板与集成电路元件承载座定位上锡球较佳实施例主视剖面结构示意图。图6为本创作集成电路元件另一侧面上锡球较佳实施例主视剖面结构示意图。图7为本创作导热撑离体与集成电路元件承载座组合时较佳实施例主视剖面结构示意图。图8为本创作导热撑离体与集成电路元件承载座分离时较佳实施例主视剖面结构示意图。附图标记说明I-加热装置；11_顶平面；12_计时器；13_扩音器；2_导热撑离体；21_抵靠面；3-集成电路元件承载座；31_容置槽；32_辅助支撑沉孔；4_集成电路元件；42_平面区；5、5a_锡球定位板；50_开孔区；51、51a_开孔；6、6a_锡球；h_高度；t_厚度。具体实施方式请参阅图I所示，其为本创作集成电路元件的植锡球装置较佳实施例分解结构主视示意图。本创作的集成电路元件的植锡球装置，包括有一加热装置I、多个导热撑离体2、一集成电路元件承载座3以及多个集成电路元件4。该加热装置I其具有一顶平面11，该加热装置I可提供热能加热该顶平面11至一预定温度。多个导热撑离体2其以一矩阵排列位于该顶平面11上，该导热撑离体2具有一抵靠面21，该抵靠面21与顶平面11相距有一高度h，该导热撑离体2其为金属材质所制成，故该导热撑离体2可传导该加热装置I所提供热能，使该抵靠面21加热至该预定温度。于本创作较佳实施例中，该加热装置I更包括有一计时器12以及一扩音器13，当该顶平面11达到该预定温度，且该集成电路元件4贴靠该抵靠面21时，该计时器12会以该预定温度加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路元件的植锡球装置，其特征在于，包括有：一加热装置，其具有一顶平面，该加热装置提供热能加热该顶平面至一预定温度；多个导热撑离体，其以一矩阵排列位于该顶平面上，该导热撑离体具有一抵靠面，该抵靠面与顶平面相距有一高度，该导热撑离体传导该加热装置所提供热能，使该抵靠面加热至该预定温度；一集成电路元件承载座，其具有与多个导热撑离体相一一对应的多个容置槽，该集成电路元件承载座具有一厚度，该厚度的长度尺寸小于该高度的长度尺寸；多个集成电路元件，其为一一对应且定位在多个容置槽中，该集成电路元件至少一侧面具有矩阵排列的多个锡球；其中，当该集成电路元件承载座贴靠而位于该顶平面上时，多个导热撑离体一一通过多个容置槽，以该抵靠面抵靠且承载该集成电路元件，使该集成电路元件与该集成电路元件承载座相分离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜正廉，
申请(专利权)人：金绽科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：