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本发明公开了一种集成电路元件的形成方法，根据一实施例提供一种具有基脚形状的铜柱工艺，在凸块下冶金层上采用两道不同光敏性及厚度的光致抗蚀剂膜。在曝光显影工艺后，在第一光致抗蚀剂膜中形成具有实质上垂直的侧壁的第一开口，并在第二光致抗蚀剂层中形成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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