一种半导体曝光方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体曝光方法，包括：根据原始晶圆曝光图对半导体曝光区域进行原始曝光；建立与晶圆曝光图对应的位移移动模块，使所述晶圆曝光图移动至与所述原始晶圆曝光图相交；根据移动后的所述晶圆曝光图对所述半导体曝光区域进行曝光。本发明专利技术提供的半导体曝光方法，移动后的所述晶圆曝光图对半导体曝光区域进行曝光，所进行的曝光与原始曝光连续，被曝光对象无需移出光刻机曝光平台再进入进行曝光，避免了再次对准操作带来的误差并且节省了对准所需要的时间，保证了多次曝光时最高的对准精度；此外，通过分别设置原始晶圆曝光图和晶圆曝光图的调整参数，使得整个曝光图形的质量更好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造工艺
，尤其涉及。
技术介绍
光刻技术(Lithograph)是实现集成电路图案的关键工艺技术。在光刻技术中，将感光材料(光刻胶)涂覆于基底的薄膜上，采用与光刻胶感光特性相应的波段的光，透过具有特定图案的掩膜板照射至光刻胶表面，经显影后形成与掩膜板上的图案相对应的光刻胶图形。在集成电路的后续工艺中，以此光刻胶图形作为阻挡层对其下的薄膜进行选择性刻蚀，便可以将掩膜板上的图案完整地转移到基底的薄膜上。集成电路的图案线宽越细，要求光刻胶的成像分辨率越高，而光刻胶的成像分辨率与曝光光源的波长成反比，因此，缩小曝光光源的波长成为实现细线宽图案的主要途径。目前，曝光光源的种类包括近紫外光(Near Ultra-Violet, NUV)、中紫外光(Mid Ultra-Violet, MUV)、深紫外光(Deep Ultra-Violet, DUV)、X-光(X-Ray)等多种，其中， MUV具有相对成熟的工艺技术，能满足大部分大规模集成电路及超大规模集成电路的制作， 然而MUV的波长在350nm 450nm之间，一次曝光的曝光剂量产生的能量很大，长时间作业后，产生的热量容易损坏曝光镜头。针对此弊端，通常将一次曝光的曝光剂量分成两次进行曝光，以减少对镜头的损伤。由于光刻机的程式设置使得依照同一个晶圆曝光图不能进行连续两次的曝光，根据晶圆曝光图进行一次曝光之后，被光刻晶圆离开光刻机曝光平台，进入曝光后烘烤的准备，若要完成剩下剂量的第二次曝光，必须使晶圆重新进入光刻机曝光平台后，掩膜板完成对准(自动完成)后，晶圆按照同一个晶圆曝光图进行剩余剂量的第二次曝光。这样不连续的两次曝光，对应两次不同的套刻对准，两次套刻对准不可能完全一样，因此产生套刻对准的差异，对晶圆的光刻精度产生不良影响；另外，晶圆曝光后在较短的时间内需要进行烘烤，由于完成曝光的多个晶圆一起进行烘烤，因此不连续的两次曝光延长了完成曝光的时间，使得同时能够进行一起烘烤的晶圆数目减少，降低了工艺制程的生产效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供了，以解决不连续的多次曝光造成光刻精度不良以及工艺制程降低的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是提供了，包括根据原始晶圆曝光图对半导体曝光区域进行原始曝光；建立与晶圆曝光图对应的位移移动模块，使所述晶圆曝光图移动至与所述原始晶圆曝光图相交；根据移动后的所述晶圆曝光图对所述半导体曝光区域进行曝光。进一步的，建立与所述晶圆曝光图对应的所述位移移动模块，使所述晶圆曝光图移动至与所述原始晶圆曝光图重叠。进一步的，所述晶圆曝光图为一个。进一步的，所述晶圆曝光图为多个。进一步的，多个所述晶圆曝光图的图形相同。进一步的，所述晶圆曝光图的图形与所述原始晶圆曝光图的图形相同。本专利技术提供的半导体曝光方法，利用与原始晶圆曝光图位置不同的晶圆曝光图， 通过移动晶圆曝光图使其与原始晶圆曝光图相交，之后通过移动后的所述晶圆曝光图对半导体曝光区域进行曝光，所进行的曝光与原始曝光连续，被曝光对象无需移出光刻机曝光平台再进入进行曝光，避免了再次对准操作带来的误差并且节省了对准所需要的时间，保证了多次曝光时最高的对准精度；此外，通过分别设置原始晶圆曝光图和晶圆曝光图的调整参数，使得整个曝光图形的质量更好。附图说明图1是本专利技术实施例提供的半导体曝光方法的步骤流程图；图2为本专利技术实施例提供的光刻机台曝光程式的界面示意图。具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想在于，提供，利用与原始晶圆曝光图位置不同的晶圆曝光图，通过移动晶圆曝光图使其与原始晶圆曝光图相交，之后通过移动后的所述晶圆曝光图对半导体曝光区域进行曝光，所进行的曝光与原始曝光连续，被曝光对象无需移出光刻机曝光平台再进入进行曝光，避免了再次对准操作带来的误差并且节省了对准所需要的时间，保证了多次曝光时最高的对准精度；此外，通过分别设置原始晶圆曝光图和晶圆曝光图的调整参数，使得整个曝光图形的质量更好。图1是本专利技术实施例提供的半导体曝光方法的步骤流程图。参照图1，提供了的方法，包括S11、根据原始晶圆曝光图对半导体曝光区域进行原始曝光；S12、建立与晶圆曝光图对应的位移移动模块，使所述晶圆曝光图移动至与所述原始晶圆曝光图相交；S13、根据移动后的所述晶圆曝光图对所述半导体曝光区域进行曝光。下面将结合图2对本专利技术的半导体曝光方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。图2为本专利技术实施例提供的光刻机台曝光程式的界面示意图。参见图2并结合步骤S11，根据光刻机台曝光程式界面20的原始晶圆曝光图21对半导体曝光区域进行原始曝光，所使用的光剂量为整个曝光需要使用的光剂量的一部分，在本实施例中，原始曝光所使用的曝光剂量为总曝光剂量的一半。根据光刻机机台曝光程式设置，在同一位置不能进行连续曝光，需要使被曝光对象在每次曝光之间先移出光刻机曝光平台之后再进入进行曝光，根据步骤S12，建立与晶圆曝光图22对应的位移移动模块，使所述晶圆曝光图22移动至与所述原始晶圆曝光图21相交的位置，在本实施例中，所述晶圆曝光图22移动方向如图2中箭头所指，移动至与所述原始晶圆曝光图21重叠，即移动后的晶圆曝光图22的位置为原始晶圆曝光图21的位置，本领域的普通技术人员应该理解，所述晶圆曝光图22不仅仅局限于实施例中的一个，还可以是相同或者相互不同的多个晶圆曝光图，对应一个晶圆曝光图22，那么完成整个晶圆曝光工艺，需要进行两次连续曝光，即一次根据原始晶圆曝光图21进行的原始曝光以及根据一个晶圆曝光图22进行的曝光；对应多个晶圆曝光图，则依次移动多个晶圆曝光图至其均与与原始晶圆曝光图21相交，再依次进行曝光，需要进行多个晶圆曝光图对应的曝光以及根据与原始晶圆曝光图21进行的原始曝光。在本实施例中，所述晶圆曝光图22的图形与所述原始晶圆曝光图21的图形相同， 以使前后两次曝光对晶圆所需要曝光的区域相同，本领域的普通技术人员应该理解，所述晶圆曝光图22的图形与所述原始晶圆曝光图21的图形可以不同，以满足晶圆各个不同区域的曝光要求。参照步骤S13，根据移动后的所述晶圆曝光图22对所述半导体曝光区域进行曝光，在本实施例中，所使用的曝光剂量为曝光总剂量的一半，与原始曝光剂量相同，当然，在其他的实施例中，还可以通过多个晶圆曝光图22通过多次完成整体曝光，所使用的曝光剂量也分多次进行工作。通过多次曝光完成的曝光图形曝光的精度更高。通过对晶圆曝光图22的移动使其对晶圆再次曝光前无需移动晶圆，保证了最高的对准精度，建立位移移动模块改变光刻机机台曝光程式，使机台在完成曝光的过程中无需遵从未改变前的在同一位置曝光时，晶圆需要移出光刻机曝光平台。显然，本领域的技术人员可以对专利技术进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的这些修改和变型属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变型在本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体曝光方法，其特征在于，包括：根据原始晶圆曝光图对半导体曝光区域进行原始曝光；建立与晶圆曝光图对应的位移移动模块，使所述晶圆曝光图移动至与所述原始晶圆曝光图相交；根据移动后的所述晶圆曝光图对所述半导体曝光区域进行曝光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李钢，孙贤波，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31