本发明专利技术提供一种蚀刻装置，对于大型的基板亦能均匀地蚀刻其整个表面，且不会产生蚀刻形状的恶化。蚀刻装置（１）包括：具有电浆生成空间（９）及处理空间（６）的腔室（２）；配设在与电浆生成空间（９）对应的部分的外方的线圈（１６）；设置于处理空间（６）中的基板Ｋ载置用的基台（１０）；对电浆生成空间（９）供给处理气体的处理气体供给机构（１９）；对线圈（１６）供给高频电力的高频电力供给机构（１７）；及对基台（１０）供给高频电力的基台电力供给机构（１３）。由接地的导电性材料所构成的圆筒状的电浆密度调整构件（２０）固设在电浆生成空间（９）与基台（１０）之间的腔室（２）内壁上。电浆在通过电浆密度调整构件（２０）时其平面内密度得以平准化，并被导引致基板（Ｋ）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种能使蚀刻气体电浆化来蚀刻例如硅基板或玻璃基板等的基板表面的电浆蚀刻装置。
技术介绍
先前，作为电浆蚀刻硅基板的装置，已知于日本专利特开2006-80504号公报(先前技术1)及日本专利特开2006-60089号公报(先前技术2)中所揭示的装置。如图6所示，上述先前例1的电浆蚀刻装置101包括圆筒状的腔室102，其上侧设定有电浆生成空间109，其下侧设定有处理空间110 ；线圈103，其在与电浆生成空间109 对应的腔室102的外方以缠绕于其上的方式而配设；对线圈103供给高频电力的高频电力供给机构104 ；对电浆生成空间109供给蚀刻气体的蚀刻气体供给机构105 ；配设于处理空间110中的基板载置用的基台106 ；对基台106供给高频电力的高频电力供给机构107 ；及对腔室102内的气体进行排气的排气机构108。于该电浆蚀刻装置101中，因对上述线圈103施加高频电力而在电浆生成空间109 中产生感应电场，供给至该电浆生成空间109中的蚀刻气体会因该感应电场而电浆化，从而基台106上的基板K凭借所生成的电浆而被蚀刻。此外，如图7所示，上述先前例2的电浆蚀刻装置201包括含有上侧的小径部20 及下侧的大径部202b的同为圆筒状的腔室202。于小径部20 上，在其外方，设置有以缠绕于其上的方式而配设的线圈203，该小径部20 内被设定为电浆生成空间209。此外，大径部202b内被设定为处理空间210，于该处理空间210内配设有基板载置用的基台206。然后，将高频电力从高频电力供给机构204供给至线圈203，另一方面，将高频电力从高频电力供给机构207供给至基台206。此外，将蚀刻气体从蚀刻气体供给机构205供给至电浆生成空间209，并凭借排气机构208来对腔室202内的气体进行排气。根据该电浆蚀刻装置201，与上述先前例1的电浆蚀刻装置101同样地因对上述线圈203施加高频电力而在电浆生成空间209中产生感应电场，供给至该电浆生成空间209 中的蚀刻气体会因该感应电场而电浆化，从而基台206上的基板K凭借所生成的电浆而被蚀刻。且说近年来，作为处理对象的基板正朝大型化方向发展，从而要求能够对如此大型的基板的整个面进行均勻的蚀刻的电浆蚀刻装置。但是，利用上述先前的电浆蚀刻装置101、201来处理该大型基板时，分别存在以下所说明的问题。S卩，对于上述电浆蚀刻装置101而言，由于电浆生成空间109较大，故而在结构上容易与相对较大的基板对尖，但在与基板K的大型化对应地使腔室102变大，且使电浆生成空间109变大后，电浆生成空间109中所生成的电浆的平面内密度Rii会成为在接近于线圈 103的部分高而中央部低的中凹的密度分布，如此密度的电浆直接作用于基板K，因而导致基板K的表面不会被均勻地蚀刻。特别是对于基板K的外周部，即便电浆的平面内密度1 为均勻，但因蚀刻速率高于中央部而有蚀刻容易进行的倾向，所以在成为如上所述的中凹的密度分布时，更容易进行基板K外周部的蚀刻，因而无法均勻地蚀刻基板K的整个表面。此外，在外周部的电浆密度较高时，例如，于基板K上形成有深穴的情况下，如图8 所示，穴300的入口部周缘凭借高密度离子而被蚀刻，该入口部的形状成为楔状，此外，其表面因溅镀而成为粗糙者，从而产生蚀刻形状恶化的问题。另一方面，对于电浆蚀刻装置201而言，由于电浆生成空间209的容积小，故而即便施加于线圈203上的高频电力较小，亦能生成高密度的电浆，且由于其平面内密度Rii亦变为中凸状，因此对于相对较小的基板K而言，能均勻地蚀刻其整个面，但若让电浆生成空间209维持原样而仅使处理空间210对应于基板K的大型化而变大，则电浆生成空间209 中所生成的电浆难以作用于基板K的外周部，于此情形时亦无法均勻地蚀刻基板K的整个对此，若使电浆生成空间209亦对应于基板K的大型化而变大，则会产生与上述的电浆蚀刻装置101的情形相同的问题。本专利技术是鉴于以上实情而完成，其目的在于提供一种对于大型的基板亦能均勻地蚀刻其整个表面、且可防止因离子而导致形状恶化的基板处理装置。
技术实现思路
用以解决上述问题的本专利技术是一种电浆蚀刻装置，其包括非导电性的腔室，该腔室包含圆筒状的主体部、闭塞该主体部的上部的顶板、及闭塞该主体部的底部的底板，且具有设定于该主体部内的上部区域中的电浆生成空间、及设定于该电浆生成空间下方的处理空间；线圈，其是在上述腔室的与上述电浆生成空间对应的部分的外方以缠绕于其上的方式而配设；基台，其配设于上述腔室内的处理空间中，载置作为处理对象的基板；处理气体供给机构，其对上述腔室内的电浆生成空间供给处理气体；线圈电力供给机构，其对上述线圈供给高频电力；基台电力供给机构，其对上述基台供给高频电力；及电浆密度调整构件，其包含上部及下部形成有开口的圆筒状的构件，且其上端部固设在上述电浆生成空间与上述基台之间的上述腔室内壁上，对上述电浆生成空间中所生成的电浆的平面内密度加以调整并导引至上述基台上的基板；且形成上述电浆生成空间的主体部的内径形成为较上述基板外径大，上述电浆密度调整构件是由接地的导电性材料所构成，并且形成为其下端部的内径较其上端部的内径及形成上述电浆生成空间的主体部的内径小的漏斗状。根据该电浆蚀刻装置，首先，由线圈电力供给机构对线圈施加高频电力。由此，腔室内的电浆生成空间中会产生感应电场，于该状态下若利用处理气体供给机构对电浆生成空间供给处理气体，则所供给的处理气体会因上述感应电场而电浆化。4以此方式生成的电浆的平面内密度成为具有线圈周围的外周部的密度高而中央部的密度低的中凹状的密度分布。然后，具有上述中凹状的密度分布的电浆向下方流下，流通于上部及下部形成有开口的圆筒状的电浆密度调整构件内，并且流至载置于其下方基台上的基板上，对该基板的表面进行蚀刻。由于电浆密度调整构件形成为其下端部的内径较上端部的内径及形成电浆生成空间的主体部的内径小的漏斗状，故而电浆会流通于该电浆密度调整构件内，因此其极端的中凹状的平面内密度能得以平准化，或者能相反地调整成稍微中凸状的密度分布并流至基板上。此外，如上所述，电浆生成空间中已生成的电浆的外周部为高密度，S卩，离子密度亦为高密度，但本专利技术的电浆密度调整构件是由接地的导电性材料所构成，故而在上述电浆通过电浆密度调整构件时，位于电浆外周部的高密度离子会与电浆密度调整构件接触而被除电、中和，从而外周部的离子密度降低。因此，可改善上述的因高密度离子而导致蚀刻形状恶化的问题。再者，本专利技术的目的在于对于大型的基板亦能均勻地蚀刻其整个表面，S卩，使整个表面的蚀刻速率均勻，因此，根据本专利技术者等的见解，由基板的屏蔽开口率及基板的大小等诸条件得知，必需使电浆的平面内密度为平缓的中凹状，或者相反为平缓的中凸状，使用上述电浆密度调整构件，并适当地设定其长度及下端部的内径，由此可将电浆的平面内密度调整成上述状态，其结果可对基板的整个表面进行均勻的蚀刻。再者，上述电浆蚀刻装置中，较好的是于上述顶板的中心部，设置有从此处向下方垂下的圆筒状的芯构件，将上述电浆生成空间形成为环状(doughnut)。由此，可减小电浆生成空间的容积，并且通过对线圈供给相对较小的高频电力而可生成高密度的电浆，从而可提高能量效率。进而本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种电浆蚀刻装置，其特征在于，包括：非导电性的腔室，该腔室包含圆筒状的主体部、闭塞该主体部的上部的顶板、及闭塞该主体部的底部的底板，且具有设定于该主体部内的上部区域中的电浆生成空间、及设定于该电浆生成空间下方的处理空间；线圈，其是在上述腔室的与上述电浆生成空间对应的部分的外方以缠绕于其上的方式而配设；基台，其配设于上述腔室内的处理空间中，载置作为处理对象的基板；处理气体供给机构，其对上述腔室内的电浆生成空间供给处理气体；线圈电力供给机构，其对上述线圈供给高频电力；基台电力供给机构，其对上述基台供给高频电力；及电浆密度调整构件，其包含上部及下部形成有开口的圆筒状的构件，且其上端部固设在上述电浆生成空间与上述基台之间的上述腔室内壁上，对上述电浆生成空间中所生成的电浆的平面内密度加以调整并导引至上述基台上的基板；且形成上述电浆生成空间的主体部的内径形成为较上述基板外径大，上述电浆密度调整构件是由接地的导电性材料所构成，并且形成为其下端部的内径较其上端部的内径及形成上述电浆生成空间的主体部的内径小的漏斗状。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本孝，
申请(专利权)人：住友精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP
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