高压斜角刻蚀方法技术

一种在斜角刻蚀机中应用等离子体在斜边刻蚀半导体衬底过程中防止击穿的方法，在斜角刻蚀机中该半导体衬底支撑于半导体衬底支座上，该方法包括当将斜角刻蚀机排空至压强为３托尔至１００托尔时，在斜角刻蚀机中应用等离子体斜边刻蚀该半导体衬底，同时保持可视于晶片的ＲＦ电压处于足够低的值以避免击穿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】交叉引用相关申请本申请依据美国法典35 § 119要求申请号为61/138，357，名称为“HIGH PRESSURE BEVELETCH PROCESS”，申请日为2008年12月17日的美国临时申请的优先权，该美国临时申请的全部内容在此引入以作参考。
技术实现思路
本文公开了一种在斜角刻蚀机中在无击穿条件下斜边(bevel edge)刻蚀半导体的方法，在该刻蚀机中半导体衬底支撑于半导体衬底支座上。无击穿意指在斜角刻蚀过程完成后，在10000个晶片中不超过1个呈现出击穿破坏。该方法包括将斜角刻蚀机排空至压强为3托尔到100托尔且保持可视于该晶片的RF电压处于击穿会发生的临界值之下；使工艺气体流入斜角刻蚀机中；在半导体衬底的边缘(periphery)将工艺气体激发为等离子体；和用该等离子体斜角刻蚀该半导体衬底。附图说明图1为依据一种具体实施方式的斜角刻蚀机的剖面示意图。图2为依据VCI电压测量示出了无击穿工艺条件的图表。具体实施例方式斜角清洁模块(斜角刻蚀机)，例如，由加拿大菲蒙市的兰姆研究公司(Lam Research Corporation)制造的2300C0R0NUS 产品，应用边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．在斜角刻蚀机中应用等离子体斜边刻蚀半导体衬底的方法，其中所述半导体衬底支撑于半导体衬底支座上，包括：当将所述斜角刻蚀机排空至压强为３托尔至１００托尔时，在所述斜角刻蚀机中应用所述等离子体斜边刻蚀所述半导体衬底。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：同·方，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US