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一种在斜角刻蚀机中应用等离子体在斜边刻蚀半导体衬底过程中防止击穿的方法，在斜角刻蚀机中该半导体衬底支撑于半导体衬底支座上，该方法包括当将斜角刻蚀机排空至压强为３托尔至１００托尔时，在斜角刻蚀机中应用等离子体斜边刻蚀该半导体衬底，同时保持可视...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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