本文提供用于半导体处理腔室的衬垫的实施例。在一些实施例中，用于半导体处理腔室的衬垫包括第一部分，其经配置以作为处理腔室的内部体积至少一部分的衬垫；及第二部分，其经配置以作为处理腔室的泵口至少一部分的衬垫。在一些实施例中，第一部分及第二部分连接在一起。在一些实施例中，衬底的第一部分及第二部分可制造为单件。在一些实施例中，衬底可置于具有内部体积及泵口的处理腔室中，其中该泵口与该内部体积呈流体连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施例大体关于半导体处理设备。
技术介绍
半导体组件的制造可导致非所欲的副产物沉积于半导体处理腔室的部件上。例如，在蚀刻处理中，可在处理腔室的壁上堆集晶圆副产物。通常，腔室衬垫用于处理腔室的壁的衬垫而堆集副产物，因此避免副产物直接沉积于腔室壁上。当衬垫变得被副产物过度地覆盖时，该衬垫可在原地被清洁、移除及清洁、或直接替换。不幸地，在一些腔室配置中，副产物也可非所欲地沉积于其它表面上，诸如在泵口的壁上及/或泵机构上。因此，此不需要的副产物沉积可导致泵机构性能降低，且因此导致腔室清洁间隔的平均时间(MTBC)降低。因此，需要用于改善腔室衬垫系统的技术。
技术实现思路
本文提供用于半导体处理腔室的衬垫的实施例。在一些实施例中，用于半导体处理腔室的衬垫包括第一部分，其经配置以作为半导体处理腔室的内部体积至少一部分的衬垫；及第二部分，其经配置以作为半导体处理腔室的泵口至少一部分的衬垫。在一些实施例中，第一部分及第二部分连接至一起。在一些实施例中，衬垫的第一部分及第二部分可单件制造。在一些实施例中，用于半导体处理的装置包括具有内部体积的处理腔室。泵口与该内部体积呈流体连接且衬垫置于处理腔室中。衬垫覆盖内部体积至少一部分及覆盖泵口至少一部分。附图说明所以，上述简介的本专利技术的特征可参考对本专利技术更具体描述的实施例进一步理解和叙述，部分实施例示出于附图中。然而要指出的是，附图仅说明本专利技术的典型实施例，因此不应被视为其范围的限制，本专利技术亦适用于其它具有同等功效的实施例。图1是根据本专利技术一些实施例的具有衬垫的蚀刻腔室的侧视示意图。图2是根据本专利技术一些实施例的衬垫的部分侧视示意图。为了便于理解，已经在可能的情况下，使用相同的组件符号指示各图中相同的组件。为清晰起见已简化且未按比例绘制附图。意即，在一个实施例中所揭示的组件亦可有利地用于其它实施例。具体实施例方式本文提供用于半导体处理腔室的衬垫的实施例。在一些实施例中，衬垫包括第一部分，其经配置以作为半导体处理腔室的内部体积至少一部分的衬垫；及第二部分，其经配置以作为半导体处理腔室的泵口至少一部分的衬垫。本专利技术的衬垫有利地限制不要的材料于泵口表面上的沉积、制造腔室的清洁间隔平均时间(MTBC)降低、且改善设备工作时间及处理产量。本专利技术衬垫如本文揭示可利用于任何适合的具有泵口的处理设备，其中处理副产物在该处理设备中非所欲地沉积于泵口的部分上。例如，图1描绘具有专利技术性衬垫102置于其中的示例蚀刻反应器100。反应器100可单独利用，或通常为积体半导体基材处理系统的处理模块，或群集工具(未示出)，如CENTURA 积体半导体晶圆处理系统，其可得自加州圣塔克拉拉的应用材料公司。适当的蚀刻反应器100的示例包括半导体设备的DPS产品线(例如DPS ，DPS II，DPS AE, DPS G3聚蚀刻器或其它类似的设备)，半导体设备的 ADVANTEDGE 产品线(例如 AdvantEdge,AdvantEdge G3)，或其它半导体设备(如 ENABLER ，Ε-MAX 或其它设备)也可得自应用材料公司。以上所列的半导体设备仅为例示性，而其它蚀刻反应器和无蚀设备(例如化学气相沉积(CVD)反应器，或其它半导体处理设备)可和此文描述的该专利技术衬垫一起利用。反应器100通常包含具有导电性主体(壁)130及围起内部体积133的顶部120 的处理腔室110。晶圆支撑台座116置于内部体积133。腔室110包括置于导电性主体130 的基底的泵口 1 及具有用来控制从腔室110排出处理气体的废气的节流阀127。衬垫102 置于内部体积133至少一部分中及泵口 1 至少一部分中，且可利用该衬垫以限制处理气体或副产物在部分的内部体积133及泵口上的沉积，其中该部分的内部体积及泵口由衬垫 102所覆盖。反应器100进一步包括可利用于控制腔室110及连接至该腔室110的部件的控制器140。支撑台座(阴极)116可经由第一匹配网络IM连接至偏压电源122。偏压源122 通常在频率近似为13. 56MHz时为最高至500W的功率，且可产生连续或脉冲功率。在其它实施例中，电源122可为直流(DC)或脉冲直流电源。腔室110具有实质上平坦的介电性顶部 120。腔室110的其它不同态样可有其它类型的顶部，例如穹状顶部或其它形状。至少一个导电性线圈天线112置于顶部120的上方(两个同轴天线112示于图1中)。各天线112 经由第二匹配网络119连接至等离子体电源118。等离子体源118在可调频率范围50kHz 至13.56MHz时，通常可产生最高至4000W的功率。通常，壁130可连接至电接地134。在典型操作期间，半导体基材或晶圆114可放置于台座116上，且处理气体由气体控制板138经由入口 1 提供并形成气态混合物150。气态混合物150在腔室110中通过施加从等离子体电源118至天线112的功率点燃成等离子体155。自偏压源122的功率也可选择性地提供至阴极116。在腔室110中的内部空间的压力使用节流阀127及真空泵 136来控制。真空泵通过泵口 1 与内部体积133呈流体连接。节流阀127通过控制在泵口 1 的上部分中的开口的尺寸来控制压力。腔室壁130的温度使用流经壁130的液体导管(未示出)来控制。如图1中所描绘，衬垫102置于处理腔室110的内部体积133至少一部分中，及经配置以作为泵口 1 至少一部分的衬垫。衬垫102可包含置于内部体积133中的第一部分104及置于泵口 1 中的第二部分106。衬垫102的第二部分106可依需要或实地取决于泵口 1 及连接至该泵口的配置(例如节流阀127及真空泵136等)而延伸至泵口 1 内任意距离。在一些实施例中，衬垫102的第二部分106的末端108可置于与泵口中的邻近部件或与离开泵口的导管相距最多约0. 25英寸的位置，例如，可移动阀部件(诸如，门阀等)。衬垫102可包含阳极氧化铝、钇镀铝(aluminum coated with yttrium)，或其它类似物的一或多者。第一部分104及第二部分106可包含相同或不同材料。衬垫102可用于任何适于在处理腔室110中操作的半导体处理。然而，衬垫102也可用于与其它处理连接的其它处理腔室。在一示意性实施例中，衬垫102使用于金属蚀刻处理中，因而导致该衬垫上聚合处理副产物的沉积。衬垫102的第一部分104及第二部分106可紧密排列、连接在一起或以单件构造形成。在一些实施例中，第一部分104及第二部分106为个别件而经连接在一起，以从内部体积133的至少一部分至泵口 1 的至少一部分形成连续衬垫表面。第一部分104及第二部分106可通过螺栓连接、焊接、压入配合等的一或多个来连接。例如，如图2所描绘，第一部分104及第二部分106可通过多个螺栓202而螺栓连接在一起。在其它替代性实施例中， 第一部分104及第二部分106可为一个连续件，且不具有接缝或接合点。此种类型的连续衬垫可通过任何适当的方法(例如旋压、铸造、模铸成形或其它类似方法)形成。回到图1，第一部分104可置于处理腔室110中的内部体积133中。第一部分104 可覆盖处理腔室的内部空间的任何部分。在一些实施例中，第一部分104约从支撑本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种用于半导体处理腔室的衬垫，包含：第一部分，经配置以作为半导体处理腔室的内部体积至少一部分的衬垫；及第二部分，经配置以作为所述半导体处理腔室的泵口至少一部分的衬垫。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：浩恩·海·恩古尹，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US
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