为了防止处理气体从用于处理被处理物表面的处理槽中泄漏，并稳定处理空间中的处理气体的流动。被处理物（９）由输送机（２０）通过入口（１３）输送到处理槽（１０）的内部，并被定位处理空间（１９）中。处理气体由供给系统（３０）供给至处理空间（１９），并且对被处理物（９）进行表面处理。随后，通过出口（１４）将被处理物（９）输送出。处理槽（１０）内部的气体由排气系统（４０）排出。气体的排出使处理槽（１０）外面的气体通过开口（１３，１４）流入处理槽（１０）的内部，使得流入气体的平均流速至少为０．１ｍ／ｓｅｃ，但仍然小于将允许流入气体到达处理空间的速度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于通过使处理气体与被处理物的表面接触而处理被处理物的表面的装置，且特别地涉及适于采用具有毒性或腐蚀性的处理气体处理的表面处理装置。
技术介绍
将处理气体吹到诸如玻璃基板或半导体晶片之类的被处理物上并进行诸如刻蚀、 清洗、表面改性和沉积之类的表面处理是本领域熟知的。用在这种表面处理中的处理气体包含在安全或环境方面(如果该气体泄漏到外面)不是更可取的成分。处理这种问题的常用方式是将处理空间封闭在处理槽(腔)内，以防止处理气体泄漏到外面。在专利文献1和2的表面处理装置中，处理槽(腔)具有用于将被处理物引入槽中的入口和用于将被处理物引出槽的出口。入口和出口是狭缝形的。缓冲室设置在处理槽的相对端，以缓和等离子体产生气体流出处理槽和外部空气流入处理槽。处理槽内的气体通过排气口排出。专利文献3中的表面处理装置包括包围放电等离子体发生器的内槽和包围内槽的外槽。外槽和内槽之间的空间的内部压力低于内槽的内部压力并低于外部空气压力。结果，处理气体流出内槽进入外槽和内槽之间的空间，并且外部空气流入外槽。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利公开No. 4058857 (图9)专利文献2 日本专利公开No. 3994596 (图7)专利文献3 日本专利申请公开No. 2003-142298
技术实现思路
要解决的技术问题处理槽需要用于从中输入和输出被处理物的开口。然而，存在槽内部的处理气体将通过所述开口泄漏的可能性。防止这种泄漏的一种方式可以是将外部单元连接至用于将气体从槽中排出的槽。这可以通过所述开口将气流从槽的外部引导至槽的内部。然而，如果排气流量太高，则存在外部空气将通过所述开口很快流入所述槽并扰乱处理空间中的处理气体的流动的可能性。而且，它会增加用于净化和再循环废气的负担。技术方案为了解决上述问题，本专利技术提供了一种表面处理装置，该表面处理装置通过使处理气体与被处理物的表面接触而处理该被处理物的所述表面，该装置包括处理槽，具有入口和出口以及处理空间，处理空间设置在处理槽的内部，位于与入口和出口隔开的位置，用于进行表面处理；输送机，通过入口将被处理物输送到处理槽的内部，将被处理物定位在处理空间中，并且随后搬送被处理物通过出口 ；4供给系统，将处理气体供给至处理空间；和排气系统，将气体从处理槽的内部排出，其中通过排气系统进行的气体的排出使处理槽外面的气体通过所述口流入处理槽的内部，使得流入气体的平均流速为至少0. lm/sec，但仍小于将允许流入气体到达处理空间的速度。通过将流入流的平均流速设置为至少0. lm/sec，可以防止处理气体通过入口或出口泄漏到处理槽的外面。设置流入流的平均流速的上限使流入气体在入口或出口与处理空间之间的空间中被充分稀薄，因而防止流入气体到达处理空间。因此，可以保护处理气体在处理空间中的流动免受流入气体的干扰，允许处理气体的流动被稳定化，以便可以以稳定方式进行表面处理。而且，这允许处理槽的内部的恒定通风，以便可以将处理槽内部的处理气体的浓度维持恒定，用于更稳定的表面处理。而且，由于排气系统中的排气流量将相对小，则可以在其中进行解毒和回收的情况中最小化废气处理负担。优选地，流入气体的平均流速为在被处理物未设置在入口或出口的内部或附近时确定的值。优选地，入口和出口是一直敞开的。这使得能够将多个被处理物连续地输送到处理槽中，被处理，随后以连续的方式被输送出。优选地，流入气体的平均流速为至少0. 3m/sec0通过这种配置，可以安全地防止处理气体通过入口或出口泄漏。优选地，流入气体的平均流速为不大于2m/SeC，更优选地为不大于lm/sec，且进一步更优选地，不大于0. 7m/sec。通过这种配置，可以更加安全地保护处理空间中的处理气体免受干扰。这可以确保处理气体的稳定流动，因而使得能够以可靠且稳定的方式进行表面处理。更优选地，平均流速为0. 3m/sec-0. 7m/sec0通过这种配置，可以更加安全地防止处理气体通过入口或出口泄漏，并且可以更加安全地保护处理空间中的处理气体免受干扰。优选地，处理槽的内部由还一个或多个间壁沿输送装置的输送方向隔开成多个腔，用于从中传递被处理物的连通开口设置在所述间壁的每一个中，其中处理空间设置在所述多个腔中的一个腔(以后称为“第一腔”)的内部，并且供给系统和排气系统直接连接至第一腔。这种配置可以更加安全地防止处理气体泄漏。优选地，由排气系统进行的气体的排出使流入气体通过连通开口流向处理空间， 使得已经穿过连通开口流入连通开口下游侧的第一腔中的流入气体的平均流速为至少 0. lm/sec，更优选地，为至少0. 3m/sec。通过这种配置，可以更加安全地防止处理气体泄漏。更优选地，流入连通开口下游侧的第一腔中的流入气体的平均流速为从0. 3m/sec 至0. 7m/sec。通过这种配置，可以更加安全地防止处理气体泄漏，并且可以更加安全地保护处理气体的流动免受干扰。优选地，第一腔内部的处理空间设置为与所述间壁的面向第一腔的连通开口(以后称为“第一连通开口”)隔开。优选地，通过排气系统进行的气体的排出使流入气体通过第一连通开口流向处理空间，使得已经通过第一连通开口的流入气体流入第一腔中的平均流速为至少0. lm/sec，但仍小于将允许第一腔中的流入气体到达处理空间的速度。这可以更加安全地防止处理气体泄漏，并且可以确保处理气体在处理空间中的流动可靠性，因此使得能够以可靠且稳定的方式进行表面处理。优选地，所述多个腔包括三个或更多个腔，且第一腔是除设置在输送方向的相对端的腔之外的腔。更优选地，进入第一腔的流入气体的平均流速至少为0. 3m/sec0通过这种配置，可以更加安全地防止处理气体泄漏。更优选地，进入第一腔的流入气体的平均流速为0. 3m/sec-0. 7m/SeC。通过这种配置，可以更加安全地防止处理气体泄漏，并且可以更加安全地保护处理气体的流动免受干扰。优选地，排气系统还包括以分散方式设置在处理槽中的多个排气口和为所述排气口一对一地设置的调节器，以调节通过对应的排气口的排气流量。这使得能够控制处理槽内部的宽区域范围内的气流，这可以防止处理气体的流动沿某些方向不均勻地分布。因此，可以确保处理的均勻性。优选地，该表面处理装置还包括再循环系统，该再循环系统从由排气系统排放的气体中收集处理气体的反应组分并将反应组分发送至供给系统。通过这种配置，可以降低处理气体所要求的反应组分的量，导致运行成本的降低。 此外，还可以降低释放至大气的反应组分的量。因此，例如当反应组分是具有大的全球变暖趋势的氟化合物或类似物时，可以最小化对环境的影响。而且，由于排气系统中的排气流量相对小，因此从外面吸入处理槽的周围气体的流量相对小，还可以最小化再循环系统的负担。优选地，表面处理装置还包括进行后处理步骤的后处理器，沿输送机的输送方向设置在相对于处理槽的下游；后处理等待槽，设置在处理槽和后处理器之间；和第二排气系统，从后处理等待槽的内部排放气体。优选地，输送机经由后处理等待槽将从处理槽中输送出来的被处理物通过出口输送至后处理器。存在其中处理气体成分或使用的处理气体成分粘附至或被吸引至已经经过表面处理的被处理物的情况。通过在被处理物离开处理槽之后且在被处理物进行后处理器之前将被处理物本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种表面处理装置，该表面处理装置通过使处理气体与被处理物的表面接触而处理该被处理物的所述表面，该装置包括：处理槽，具有入口和出口以及处理空间，所述处理空间设置在处理槽的内部，位于与入口和出口隔开的位置，用于进行表面处理；输送机，通过入口将被处理物输送到处理槽的内部，将被处理物定位在处理空间中，并且随后搬送被处理物通过出口；供给系统，将处理气体供给至处理空间；和排气系统，将气体从处理槽的内部排出，其中通过排气系统进行的气体的排出使处理槽外面的气体通过所述口流入处理槽的内部，使得流入气体的平均流速为至少０．１ｍ／ｓｅｃ，但仍小于将允许流入气体到达处理空间的速度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅冈尚，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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