【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有循环高压及低压清洗步骤的远程等离子体清洗工艺。
技术介绍
制造新型半导体器件的主要步骤之一是在基板或晶片上形成诸如氧化硅层的层。 众所周知，该层可通过化学气相沉积法(CVD)得以沉积。在传统的热CVD工艺中，提供反应性气体到基板表面，在该基板表面发生热诱导化学反应以形成所要薄膜。在传统的等离子体CVD工艺中，使用(例如)射频(RF)能量或微波能量来形成受控等离子体，以分解及/ 或赋能反应性气体内的反应物种，进而产生所要薄膜。在这些CVD工艺期间，还将在诸如处理腔室壁的位置上产生不良沉积。行业中皆知，通常的做法是使用原位腔室清洗操作来移除堵塞于腔室壁内部区域上的不良沉积材料。普通的腔室清洗技术包括使用诸如氟的蚀刻气体，自腔室壁及其它区域移除沉积材料。 在一些工艺中，将蚀刻气体引入腔室且形成等离子体，以使蚀刻气体与沉积材料反应并自室壁移除沉积材料。通常在每一个晶片或每η个晶片的沉积步骤之间执行这些清洗程序。一些半导体制造商使用远程等离子体清洗工艺作为原位等离子体清洗操作的替代方法。可使用一种如下远程等离子体清洗程序其中通过高密度等离子体源，诸如微...
【技术保护点】
１．一种在处理过安置于基板处理腔室内的基板之后，自该基板处理腔室的一个或多个内部表面移除不良沉积堵塞的工艺，该工艺包含以下步骤：将该基板转移出该基板处理腔室；通过以下步骤移除该不良沉积堵塞：（ａ）将含氟蚀刻气体流入流体地耦接至该基板处理腔室的远程等离子体源内，自该蚀刻气体形成反应性物种，且输送所述反应性物种至该基板处理腔室内；且（ｂ）将该含氟蚀刻气体连续地流入该远程等离子体腔室，且将所述反应性物种连续地输送至该基板处理腔室内的同时，使该基板处理腔室内的压力在第一范围内的高压与第二范围内的低压之间循环达至少两个高压及低压的循环，其中该高压高于该低压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：华忠强，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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