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本发明是关于一种远程等离子体工艺，所述工艺用以在处理过安置于基板处理腔室内的基板之后，自该基板处理腔室的一个或多个内部表面移除不良沉积堵塞。在一实施例中，将基板转移出基板处理腔室，且将含氟蚀刻气体流引入远程等离子体源，在远程等离子体源中形成...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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