本发明专利技术提供一种生产的前置时间短且可实现小型化的蚀刻装置。本发明专利技术的蚀刻装置沿搬送方向依序配设有：搬送基板K的搬送装置2；第1蚀刻部10，其将蚀刻液供给至基板K上以对金属膜进行蚀刻；对金属膜蚀刻后的基板K进行清洗的第1清洗部15；使清洗后的基板K干燥的第1干燥部20；第2蚀刻部30，其使用包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，于大致大气压下，对基板K上的含硅膜进行蚀刻；对含硅膜蚀刻后的基板K进行清洗的第2清洗部35；以及使清洗后的基板K干燥的第2干燥部40。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种对包含金属膜及其下层的含硅膜的基板的上述金属膜及含硅膜进行蚀刻的装置。
技术介绍
先前，对于在上层例如形成有铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)或钼(Mo)等的金属膜，在下层形成有非晶硅层或氮化硅层等的含硅膜的基板而言，首先，对上述金属膜进行蚀刻，继而对含硅膜进行蚀刻，从而形成所期望的结构物。在该情形时，当对上述金属膜进行蚀刻时，使用利用有蚀刻液的所谓湿式蚀刻装置，当对含硅膜进行蚀刻时，使用将反应性气体电浆化而进行蚀刻的所谓电浆干式蚀刻装置。而且，作为上述湿式蚀刻装置，本申案申请人例如已提出日本专利特开 2003-347269号公报所揭示的装置。如该公报所述，该装置包括将蚀刻液供给至基板上而对该部位进行蚀刻的蚀刻部，将清洗水供给至经蚀刻的基板上而进行水洗的水洗部，使水洗后的基板干燥的干燥部，及将基板依序搬送至所述的这些蚀刻部、水洗部及干燥部的搬送装置等。又，作为上述电浆干式蚀刻装置，先前，众所周知例如日本专利特表2002-506572 号公报所揭示的装置。该装置是将反应性气体导入至蚀刻腔室内并电浆化，生成反应种，凭借所生成的反应种对搬入且载置于其下方的基板进行蚀刻。日本专利特开2003-347^9号公报日本专利特表2002-506572号公报然而，先前，于多数情形下，上述湿式蚀刻装置与电浆干式蚀刻装置设置于彼此远离的场所，必需使用适当的移送装置将湿式蚀刻后的基板移送至电浆干式蚀刻装置。作为其理由之一，于电浆干式蚀刻中，若水分残留于基板上，则该水分会对蚀刻造成不良影响，因此，必需使基板完全干燥，故而先前，并未将湿式蚀刻装置与电浆干式蚀刻装置直接连结，而是以使所述的这些蚀刻装置分离的状态进行设置，并且将湿式蚀刻后的基板另外装设于干燥装置以使的干燥，或将该基板放置特定时间而使的完全干燥，然后，将该基板装设于电浆干式蚀刻装置。因此，直至一个基板的蚀刻完成为止的时间长，自生产效率的方面考虑，其前置时间的削减成为问题。又，因需要湿式蚀刻装置及电浆干式蚀刻装置的设置区域、及移送装置或堆场等用于生产的广阔区域，为了削减生产成本，需要进一步减小装置的占据面积
技术实现思路
本专利技术是鉴于以上的实际情况经开发而成者，其目的在于提供一种生产的前置时间短且可实现小型化的蚀刻装置。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是一种蚀刻装置，其特征在于其用来对至少包含金属膜及其下层的含硅膜的基板的上述金属膜及含硅膜进行蚀刻，该蚀刻装置包括搬送装置，其朝特定的搬送方向搬送上述基板；第1蚀刻部，其将蚀刻液供给至由上述搬送装置所搬送的基板上，以对上述金属膜进行蚀刻；第1清洗部，其设置于比上述第1蚀刻部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用清洗液对金属膜蚀刻后的基板进行清洗；第1干燥部，其设置于比上述第1清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥； 第2蚀刻部，其设置于比上述第1干燥部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用至少包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，在大致一个大气压下，对上述基板的含硅膜进行蚀刻；第2清洗部，其设置于比上述第2蚀刻部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用清洗液对含硅膜蚀刻后的基板进行清洗；以及第2干燥部，其设置于比上述第2清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥。其中在上述第1干燥部与第2蚀刻部之间，沿上述搬送方向依序设置有使用清洗液对经上述第1干燥部干燥的基板进行二次清洗的二次清洗部；以及使经上述二次清洗部清洗的基板干燥的二次干燥部。其中基板搬入搬出部设置于上述第2蚀刻部的近前处，该基板搬入搬出部是将上述基板搬出至系统之外，另一方面，自系统之外承接基板并搬入至上述第2蚀刻部。近来，如下蚀刻法(由于使用气体而非蚀刻液，及于大致大气压下进行蚀刻，故而为了便于说明，以下称为「大气压干式蚀刻法」)及其装置被开发，且广受关注，该蚀刻法是使用包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，于大致大气压下，对基板上的含硅膜进行蚀刻。该大气压干式蚀刻法为如下反应系统，S卩，于将Si氧化而生成S^2之后，使氟化氢(HF)与SW2发生反应以生成SiF4，如此，对Si进行蚀刻，且于蚀刻时会生成水分。因此，对于上述大气压干式蚀刻法而言，无需使蚀刻前的基板完全干燥，可形成将湿式蚀刻装置与大气压干式蚀刻装置连结的蚀刻系统。根据此种背景，于本专利技术中，采用继湿式蚀刻装置后连结配置有大气压干式蚀刻装置的上述构成。 如此，于本专利技术中，首先，将至少包含金属膜及其下层的含硅膜的基板搬送至第1 蚀刻部，适当地对上述金属膜进行蚀刻，继而，金属膜蚀刻后的基板依序经由第1清洗部、 第1干燥部，于将蚀刻液洗净之后，对该基板进行干燥。继而，将基板搬送至第2蚀刻部，对其含硅膜进行蚀刻，然后，依序经由第2清洗部、第2干燥部，将蚀刻残渣等洗净之后，对该基板进行干燥，并自装置中搬出。如此，根据本专利技术，由于可依序连续地对金属膜及其下层的含硅膜进行蚀刻，故而4与先前相比较，直至一个基板的蚀刻完成为止的时间短，因此，可缩短生产的前置时间，从而可提高生产效率。又，由于设为将湿式蚀刻装置与大气压干式蚀刻装置直接连结的构成，故而无需移送装置或堆场等，可实现装置的小型化，从而可削减生产成本。然而，由于蚀刻所形成的结构物微细，故而例如若仅于第1清洗部中进行清洗，则存在如下情形，即，无法完全地将侵入至抗蚀剂与其下层的结构物之间的角部或间隙的蚀刻液洗净。于该情形时，残留的蚀刻液有可能会于后续的第2蚀刻部中，对蚀刻造成不良影响。因此，需要完全地将湿式蚀刻后的蚀刻液洗净，为此，较佳于上述第1干燥部与第 2蚀刻部之间，沿上述搬送方向，依序配设使用清洗液对经上述第1干燥部干燥的基板进行二次清洗的二次清洗部、及再次使经上述二次清洗部清洗的基板干燥的二次干燥部。凭借二次清洗部而对经第1干燥部干燥后的基板进行清洗之后，清洗液容易侵入至上述抗蚀剂与其下层的结构物之间的角部或间隙，可大致完全地将残留的蚀刻液洗净， 从而可解决如上所述的问题。又，也可将基板搬入搬出部设置于上述第2蚀刻部的近前处，该基板搬入搬出部将上述基板搬出至系统之外，并且相反地，自系统之外承接基板并搬入至上述第2蚀刻部。 根据基板的不同，有时仅进行湿式蚀刻即可，相反地，有时仅进行大气压干式蚀刻即可。于该情形时，将湿式蚀刻后的基板自上述基板搬入搬出部搬出，如此，可对基板仅实施湿式蚀刻，又，凭借基板搬入搬出部而自系统之外将基板导入，将该基板搬入至第2蚀刻部，并进行以后的处理，如此，可对基板仅实施大气压干式蚀刻。如此，凭借设置上述基板搬入搬出部，可由一个装置进行湿式蚀刻及大气压干式蚀刻、仅湿式蚀刻、及仅大气压干式蚀刻该三个形态的蚀刻。再者，本专利技术中的上述基板包含玻璃基板或硅基板等各种基板。又，上述金属膜包含钛(Ti)膜、钼(Mo)膜、铝(Al)膜、铜(Cu)膜等各种金属膜，含硅膜除包含非晶硅、多结晶硅或单结晶硅的膜之外，还包含氧化硅(SiO2)膜、碳化硅(SiC)膜、掺碳氧化硅(SiOC)膜、 氮化硅(SiN)膜等。又，作为蚀刻液，例如可列举包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸液。又，作为氟系反应成分，可列举HF或C0F2等，作为氧化性反应成分，可列举O3或0 自由基等，上述氟系反应成分可凭借将氟系原料气体(例本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种蚀刻装置，其特征在于：其是对至少包含金属膜及其下层的含硅膜的基板的上述金属膜及含硅膜进行蚀刻，该蚀刻装置包括：搬送装置，其朝特定的搬送方向搬送上述基板；第１蚀刻部，其将蚀刻液供给至由上述搬送装置所搬送的基板上，以对上述金属膜进行蚀刻；第１清洗部，其设置于比上述第１蚀刻部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用清洗液对金属膜蚀刻后的基板进行清洗；第１干燥部，其设置于比上述第１清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥；第２蚀刻部，其设置于比上述第１干燥部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用至少包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，在大致大气压下，对上述基板的含硅膜进行蚀刻；第２清洗部，其设置于比上述第２蚀刻部更靠近上述搬送方向下流侧，且使用清洗液对含硅膜蚀刻后的基板进行清洗；以及第２干燥部，其设置于比上述第２清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：中田胜利，松元俊二，
申请(专利权)人：住友精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP
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