【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在集成电路的制造过程中,制造一些导电线以使各种装置与所述导电线互连从 而形成场效应晶体管的栅极。所述导线和栅极可能是由一种或一种以上包括导电掺 杂半导体材料(诸如导电掺杂多晶硅)在内的导电材料形成。在存在或不存在导电 掺杂多晶硅的情况下,用于所述导线中的一类导电材料为导电金属硅化物。将需要 研发可蚀刻不同且特定导电金属硅化物的蚀刻化学物质。尽管提出本专利技术来解决上述问题,但其决不仅限于此。如字面所述(无论是对 本说明书之说明或其它限制)并且根据等效内容的基本原则,本专利技术只受随附权利 要求的限制。
技术实现思路
本专利技术包括。在一个实施例中, 在至少5(TC的温度和350托到1100托的压力下,将包含硅化镍的衬底暴露于包含 H3P04和H20的流体以有效蚀刻所述衬底中的硅化镍。在一个实施例中,在至少50。C的温度和350托到1100托的压力下,将硅化镍 和硅化钴中的至少一种暴露于包含H2S04、 H202、 1120和HF的流体以有效蚀刻所 述衬底中所述硅化镍和硅化钴中的至少一种。在一个实施例中,形成含硅化镍的导线的方法包括形成含硅线,所述含硅线在 其相对侧上横向容纳无掺杂二氧化硅。将元素镍沉积于所述含硅线上并且沉积于所 述无掺杂二氧化硅上。将元素镍和所述线中的硅退火以有效形成含硅化镍的线。在 至少5(TC的温度和350托到1100托的压力下,使用包含H3P04和H20的流体相对 于无掺杂二氧化硅选择性蚀刻硅化镍,以有效使所述含硅化镍的线相对于所述无惨 杂二氧化硅凹进。在一个实施例中,形成包含硅化镍或硅化钴中的至少一种的 ...
【技术保护点】
一种蚀刻硅化镍的方法,其包含在至少50℃的温度和350托到1100托的压力下,将包含硅化镍的衬底暴露于包含H↓[3]PO↓[4]和H↓[2]O的流体以有效蚀刻所述衬底中的硅化镍。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-7 11/146,6481.一种蚀刻硅化镍的方法,其包含在至少50℃的温度和350托到1100托的压力下,将包含硅化镍的衬底暴露于包含H3PO4和H2O的流体以有效蚀刻所述衬底中的硅化镍。2. 根据权利要求1所述的方法,其中所述流体主要包含液体。3. 根据权利要求1所述的方法,其中所述温度为至少IO(TC。4. 根据权利要求3所述的方法,其中所述温度为135'C到155°C。5. 根据权利要求1所述的方法,其中所述压力为600托到卯0托。6. 根据权利要求1所述的方法,其中所述H3P04是以65体积百分比到90体积百 分比存在于所述流体中,并且所述H20是以35体积百分比到10体积百分比 存在于所述流体中。7. 根据权利要求6所述的方法,其中所述H3P04是以80体积百分比到卯体积百 分比存在于所述流体中,并且所述H20是以20体积百分比到10体积百分比 存在于所述流体中。8. 根据权利要求7所述的方法,其中所述H3P04是以约85体积百分比存在于所 述流体中,并且所述H20是以约15体积百分比存在于所述流体中。9. 根据权利要求6所述的方法,其中所述流体基本上是由H3P04和H20组成。10. 根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底在至少某一部分所述蚀刻期间包含 经暴露的无掺杂二氧化硅或经暴露的元素硅中的至少一种,所述蚀刻对所述经 暴露的无掺杂二氧化硅或经暴露的元素硅中的至少一种具有选择性。11. 根据权利要求10所述的方法,其中所述对所述经暴露的无掺杂二氧化硅或经 暴露的元素硅中的至少一种的选择性为至少10:1。12. 根据权利要求11所述的方法,其中所述对所述经暴露的无掺杂二氧化硅或经 暴露的元素硅中的至少一种的选择性为至少100:1。13. 根据权利要求10所述的方法,其中所述衬底在至少某一部分所述蚀刻期间包 含经暴露的无掺杂二氧化硅。14. 根据权利要求10所述的方法,其中所述衬底在至少某一部分所述蚀刻期间包 含经暴露的元素硅。15. —种蚀刻硅化镍的方法,其包含在至少IO(TC的温度和600托到900托的压力下,将包含硅化镍的衬底暴露 于包含H3P04和H20的液体,以有效蚀刻所述衬底中的硅化镍,所述H3P04是以65体积百分比到90体积百分比存在于所述液体中,所述H20是以35体 积百分比到IO体积百分比存在于所述液体中;且其中所述衬底在至少某一部分所述蚀刻期间包含经暴露的无掺杂二氧化硅 或经暴露的元素硅中的至少一种,所述蚀刻对所述经暴露的无掺杂二氧化硅或 经暴露的元素硅中的至少一种具有选择性。16. —种蚀刻硅化镍或硅化钴中的至少一种的方法,其包含在至少5(TC的温度和 350托到1100托的压力下,将包含硅化镍或硅化钴中至少一种的衬底暴露于包 含H2S04、 H202、 H20和HF的流体,以有效蚀刻所述衬底中所述硅化镍或硅 化钴中的至少一种。17. 根据权利要求16所述的方法,其中所述蚀刻是关于硅化镍。18. 根据权利要求16所述的方法,其中所述蚀刻是关于硅化钴。19. 根据权利要求16所述的方法,其中所述流体主要包含液体。20. 根据权利要求16所述的方法,其中所述温度为至少100'C。21. 根据权利要求16所述的方法,其中所述压力为600托到900托。22. 根据权利要求16所述的方法,其中所述流体基本上是由H2S04、 H202、 H20 和HF组成。23. 根据权利要求16所述的方法,其中所述HF是以相对于所述H2S04、 H202和 H20的总量为0.0005:1到0.1:1的体积比存在于所述流体中。24. 根据权利要求23所述的方法,其中所述体积比为0.001:1到0.002:1。25. 根据权利要求16所述的方法,其中所述H2S04是以相对于11202为20:1到40:1 的体积比存在于所述流体中。26. 根据权利要求25所述的方法,其中所述体积比为30:1到35:1。27. 根据权利要求16所述的方法,其中所述H20是以相对于所述H2S04和H202 的总量为0.03:1到1:1的体积比存在于所述流体中。28. 根据权利要求27所述的方法,其中所述体积比为0.05:1到0.07:1。29. 根据权利要求16所述的方法,其中所述HF是以相对于所述H2S04、 11202和H20的总量为0.0005:1到0.1:1的 体积比存在于所述流体中;,且所述H2S04是以相对于11202为20:1到40:1的体积比存在于所述流体中。30. 根据权利要求16所述的方法,其中所述HF是以相对于所...
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