光发生装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种光发生装置，其具有发光的半导体元件以及在辐射方向上以一定距离设置在所述半导体元件之前的透明的光取向元件（２），所述半导体元件具有馈电线，由所述半导体元件发出的光可通过所述光取向元件聚束成光流。所述光取向元件（２）的耦合输出面（４）具有由多个突起和凹陷形成的微型结构（６），所述光流的光路可通过该微型结构偏转＜５°的角度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光发生装置，该光发生装置具有发光的半导体 元件以及在辐射方向上以一定距离i殳置在半导体元件之前的透明 的光取向元件，所述半导体元件具有馈电线，由半导体元件发出的 光可通过所述光取向元件聚束成光流。
技术介绍
发光的半导体元件、尤其是大功率LED大部分具有朗伯特-辐射对争'l生(Lambert-Abstrahl charakteristik )或者非常大的辐射特'l生 的孔径角。为了获得定向的辐射，在大功率LED中特别将折射的 和反射的二次光学器件用作光取向装置。这些光学器件导致光流成 束并且导致在前进方向上的非常高的亮度。通过半导体元件的结构、尤其是还通过半导体元件的々贵电线和 电4妻触形成光流的明显的不均匀性。在阵列中^f吏用多个LED芯片时，各个芯片的定位又反映出光 流的亮度分布。此夕卜，这涉及不同颜色的LED芯片，所以各个颜色分量的混 合大都是不充分的。因此，可以观察到在光流的宽度内明显的颜色变化。光流的这些影响非常具有干扰性并且限制这种光发生装置的 使用。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提出一种开头所述类型的光发生装 置，该装置避免提到的缺点，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光发生装置，具有发光的半导体元件以及在辐射方向上以一定距离设置在所述半导体元件之前的透明的光取向元件，所述半导体元件具有馈电线，由所述半导体元件发出的光可通过所述光取向元件聚束成光流，其特征在于，所述光取向元件（２）的耦合输出面具有由多个突起和凹陷形成的微型结构（６），所述光流的光路可通过该微型结构偏转＜５°的角度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-6-7 10 2005 026 206.61.一种光发生装置，具有发光的半导体元件以及在辐射方向上以一定距离设置在所述半导体元件之前的透明的光取向元件，所述半导体元件具有馈电线，由所述半导体元件发出的光可通过所述光取向元件聚束成光流，其特征在于，所述光取向元件(2)的耦合输出面具有由多个突起和凹陷形成的微型结构(6)，所述光流的光路可通过该微型结构偏转＜5°的角度。2. —种光发生装置，具有发光的半导体元件以及在辐射方向上以 一定距离i殳置在所述半导体元件之前的透明的光取向元件，所 述半导体元件具有4t电线，由所述半导体元件发出的光可通过 所述光取向元件聚束成光流，其特征在于，所述光取向元件(2 ) 的、乂人井禺合專命入面(3)到光耳又向it/f牛(2)的诔禺合车命出面(4) 延伸的壁(5)具有由多个突起和凹陷形成的樣i型结构，通过 该微型结构所述光流的光路在所述光取向元件(2)的壁(5) 上的反射可偏转<5°的角度。3. 根据权利要求1或2所述的光发生...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃克哈德芬格，
申请(专利权)人：西门子威迪欧汽车电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]