一种照明用LED芯片的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种照明用ＬＥＤ芯片的制造方法，用常用方法制作一个垂直通孔结构的ＬＥＤ芯片，该芯片的外延层包括第一类型限制层、活化层和第二类型限制层，在第一类型限制层上生长一个透明层，在透明层的表面对其进行蚀刻，形成棱状微透镜阵列，在外延层的四周蚀刻棱状微透镜阵列层和外延层，直至反射／欧姆／键合层的上表面暴露，在外圈形成一圈凹槽；在棱状微透镜阵列表面和凹槽内形成荧光粉层；将外延层切割成芯片封装，使用该芯片封装ＬＥＤ管时无需再涂荧光粉，可直接发白光，使封装过程大大简化，出光面从平面改为球面，可大大减少全反射损失，提高ＬＥＤ出光率，易集成和小型化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光二极管LED光源，特别涉及一种照明领域的白光LED芯片的制 造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种新型光源，和传统光源相比它具有很多优点长寿、节能、 低电压、体积小、无污染。LED自诞生以来，技术在不断进步，发光效率在不断提高，目 前白光LED的发光效率已经超过了普通荧光灯，LED已开始进入照明领域。目前垂直通孔结构的LED芯片是最先进的一种LED芯片，如图1所示是典型的通孔 垂直结构的LED芯片示意图，芯片最上到下依次为半导体外延层6，反射/欧姆/键合层5， 金属层4，支持衬底2和电极1、 11。外延层6包括第一类型限制层13、活化层14和第二 类型限制层15。该LED芯片的电流流动方向依序如下外部电源的第二极、第二电极l、 通孔/金属填充塞3、金属层4、反射/欧姆/键合层5、半导体外延层6、图形化电极7、半通 孔/金属填充塞8、金属层9、通孔/金属填充塞10、第一电极ll、外部电源的第一极。对于 大功率大尺寸的LED，与图形化电极7连接的半通孔/金属填充塞8可以设置一个以上。白光LED的技术主要包括芯片制作和封装技术，在上述垂直通孔结构的蓝光LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明用ＬＥＤ芯片的制造方法，将外延层（６）、反射／欧姆／键合层（５）和金属化的硅支持衬底（２）用常用方法制作一个垂直通孔结构的ＬＥＤ芯片，该芯片的外延层（６）包括第一类型限制层（１３）、活化层（１４）和第二类型限制层（１５），其特征是还依次包括如下步骤：（１）、在第一类型限制层（１３）上生长一个透明层（１６），透明层（１６）的材料和第一类限制层（１３）相同，或者是折射率等于或略低于第一类限制层（１３）的透光材料；透明层（１６）的厚度和半导体外延层（６）的厚度相近； （２）、在透明层（１６）的表面对其进行蚀刻，形成棱状微透镜阵列（１７），阵列中每个微透镜的直径为透明层（１６）厚...

【技术特征摘要】
1.一种照明用LED芯片的制造方法，将外延层(6)、反射/欧姆/键合层(5)和金属化的硅支持衬底(2)用常用方法制作一个垂直通孔结构的LED芯片，该芯片的外延层(6)包括第一类型限制层(13)、活化层(14)和第二类型限制层(15)，其特征是还依次包括如下步骤(1)、在第一类型限制层(13)上生长一个透明层(16)，透明层(16)的材料和第一类限制层(13)相同，或者是折射率等于或略低于第一类限制层(13)的透光材料；透明层(16)的厚度和半导体外延层(6)的厚度相近；(2)、在透明层(16)的表面对其进行蚀刻，形成棱状微透镜阵列(17)，阵列中每个微透镜的直径为透明层(16)厚度的1～10倍；(3)、在外延层(6)的四周蚀刻棱状微透镜阵列层(17)和外延层(6)，直至反射/欧...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄振春，陈岭，史智青，洪从胜，傅凡，
申请(专利权)人：江苏奥雷光电有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]