非易失性存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，通过降低用于使电阻变化的击穿电压且抑制其不均匀，从而实现存储器的微细化·大容量化。本发明专利技术的非易失性存储装置（１０）具备：下部电极（１０５），形成在基板（１００）上；第１电阻变化层（１０６ａ），形成在下部电极（１０５）上，由过渡金属氧化物构成；第２电阻变化层（１０６ｂ），形成在第１电阻变化层（１０６ａ）上，由含氧量比第１电阻变化层（１０６ａ）的过渡金属氧化物高的过渡金属氧化物构成；以及上部电极（１０７），形成在第２电阻变化层（１０６ｂ）上；在第１电阻变化层（１０６ａ）与第２电阻变化层（１０６ｂ）之间的界面处存在台阶（１０６ａｘ）。第２电阻变化层（１０６ｂ）覆盖该台阶（１０６ａｘ）形成，且在台阶（１０６ａｘ）的上方具有弯曲部（１０６ｂｘ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过施加电压脉冲而电阻值变化的电阻变化型的非易失性存储装置。
技术介绍
近年来，随着数字技术的发展，便携式信息设备和信息家电等电子设备的功能进一步提高。随着这些电子设备的功能提高，所使用的半导体元件的微细化及高速化飞速发展。其中，以闪存为代表的大容量的非易失性存储器的用途也飞速扩大。进而，作为代替该闪存的次世代的新型非易失性存储器，正在开展使用所谓电阻变化元件的电阻变化型的非易失性存储元件的研究开发。在此，所谓电阻变化元件，指的是具有电阻值由于电信号而可逆变化的性质、并能够非易失地存储与该电阻值对应的信息的元件。作为该电阻变化元件的一例，提出了层叠含氧量不同的过渡金属氧化物来用于电阻变化层的非易失性存储装置。例如，在专利文献1中，公开了以下技术使在与含氧量高的电阻变化层接触的电极界面处选择性地发生氧化·还原反应，来使电阻变化稳定。上述现有的电阻变化元件构成为具有下部电极、电阻变化层和上部电极，二维或三维地配置该电阻变化元件来构成存储器阵列。在各个电阻变化元件中，电阻变化层由第1 电阻变化层和第2电阻变化层的层叠构造构成，且第1及第2电阻变化层由同种的过渡金属氧化物构本文档来自技高网...

【技术保护点】
；以及上部电极，形成在所述第２电阻变化层上；在所述第１电阻变化层与所述第２电阻变化层之间的界面处存在台阶；所述第２电阻变化层形成为覆盖所述台阶，且在所述台阶的上方具有弯曲部。１．一种非易失性存储装置，具备：基板；下部电极，形成在所述基板上；第１电阻变化层，形成在所述下部电极上，由第１过渡金属氧化物构成；第２电阻变化层，形成在所述第１电阻变化层上，由含氧量比所述第１过渡金属氧化物的含氧量高的第２过渡金属氧化物构成

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三河巧，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP