一种功率场效应晶体管及其布图方法技术

本发明专利技术涉及一种集成于一单片硅片上的功率场效应晶体管及其布图设计方法，所述功率场效应晶体管由多个单元晶格并行排列组成，每一单元晶格包括栅极区域、源极区域和漏极区域，其中，所述漏极区域和所述源极区域分别分布在所述栅极区域的两侧，其特征在于，所述栅极区域呈弯折形状，在第一端向漏极区域弯折，以在漏极区域形成第一凹入区域、第一弯折区域和第一接触区域；在第二端向源极区域弯折，以在源极区域形成第二凹入区域、第二弯折区域和第二接触区域；所述的呈弯折形状的栅极区域增加了有效沟道宽度，从而使得导通电阻RDSON减小；相应的漏极区域和源极区域不再是矩形形状，而是在不同的区域具有不同的形状，从而减小单元晶格的高度，进一步减小了导通电阻RDSON；并且它还可以增加场效应晶体管的沟道密度，从而减小了导通电阻RDSON，其实现方法更加有利和实用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场效应晶体管，更具体的说，涉及一种集成于一单片硅片上的功 率场效应晶体管及其布图设计方法。
技术介绍
在新式发电/节能技术及装置的背后，高频切换电源转换器扮演极其重要的角 色。高频切换电源转换技术利用半导体功率组件以高频切换的方式，结合各式能量转换组 件如变压器、储能组件如电感、电容，以达到高效率、高功率密度的要求。功率FET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换 等。对于这些应用，功率FET最重要的特性便是其漏极-源极导通电阻R_n。Rdsw较小的 功率FET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。因此，具有较低功率损耗的功率晶体管，是达到较高的电源转换效率的有效方法， 符合日益严谨的电源转换效率规范。对于单片集成式功率场效应晶体管的应用来说，例如 开关型调节器，采用具有较低的导通电阻的功率场效应晶体管是减小导通损耗的有效途 径。因此，特定导通电阻Rdsw是衡量场效应晶体管性能的一个关键设计。导通电阻Rdmn为 功率场效应晶体管在一个给定的硅区域的导通电阻。功率FET的导通电阻Rdsm越小，则所 需要的硅面积越小，因此，制造成本也更低。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种功率场效应晶体管，由多个单元晶格并行排列组成，每一单元晶格包括栅极区域、源极区域和漏极区域，其中，所述漏极区域和所述源极区域分别分布在所述栅极区域的两侧，其特征在于，所述栅极区域呈弯折形状，在第一端向漏极区域弯折，以在漏极区域形成第一凹入区域、第一弯折区域和第一接触区域；在第二端向源极区域弯折，以在源极区域形成第二凹入区域、第二弯折区域和第二接触区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：游步东，
申请(专利权)人：杭州矽力杰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：86