单胞中集成肖特基二极管的沟槽ＭＯＳ器件制造技术

一种单胞中集成肖特基二极管的沟槽ＭＯＳ器件，本实用新型专利技术将肖特基二极管结构集成在每一个沟槽ＭＯＳＦＥＴ单胞中，ＭＯＳＦＥＴ单胞的Ｎ＋源极欧姆接触、Ｐ型阱的欧姆接触以及肖特基二极管阳极接触共用同一接触孔，有效节约硅表面面积，降低芯片成本。本实用新型专利技术在制造工艺上不需要额外的光罩以及光刻步骤，而是引入更容易控制的介质侧墙与自对准工艺。可以同时获得低成本、工艺步骤简单、高性能和高可靠型的沟槽ＭＯＳＦＥＴ器件。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种大功率MOS器件，特别涉及在单胞中集成肖特基二极管的沟 槽MOS器件。
技术介绍
沟槽MOSFET器件广泛应用于功率类电路中，作为开关器件连接电源与负载。长期 以来，如何降低功率损耗一直是最受关注的议题，尤其在倡导节能减排，低碳的今天。图1为应用MOS管作为开关器件的直流-直流转换控制电路原理图。从图中可以 看出，沟槽MOSFET器件Ml (下管)和M2(上管)就是作为该电路的核心开关器件，通过控 制芯片来实现直流-直流转换，其中，Ml和M2中本身存在寄生二极管Dl、D2(由包围源极 的P型阱区/漏极构成)，而为有效降低高频开关损耗在Ml的源极S与漏极D之间设计了 肖特基二极管SBD(如图所示)。该电路工作过程中，Ml和M2在某一状态下会同时处于关 断状态，为了保证负载得到连续不断的电流供应，Ml中的寄生二极管Dl开启，但由于肖特 基二极管SBD与寄生二极管Dl (PN结)相比，具有更低的开启电压(肖特基二极管0. 3V左 右，PN结二极管0. 7V左右)，在Ml的源极S与漏极D之间并联一肖特基二极管SBD (如图 2所示)，可以有效减小由于高开启电压降造成的损耗。另本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单胞中集成肖特基二极管的沟槽Ｎ型ＭＯＳ器件，在俯视平面上，该器件的中央为并联的单胞阵列区域，单胞阵列区域的顶面沉积有上金属层，单胞阵列区域的底部自下而上依次为下金属层、Ｎ＋单晶硅衬底以及Ｎ－外延层，Ｎ－外延层中，纵向和横向均平行开设有若干条沟槽，纵向平行开设的若干条沟槽和横向平行开设的若干条沟槽处于同一水平面内且相互交叉，每条沟槽的内表面均生长有栅氧化层，且沟槽中沉积有Ｎ型高掺杂的栅极导电多晶硅，该栅极导电多晶硅通过沟槽从单胞阵列区域外围的上金属层引出作为ＭＯＳ管的栅极金属电极，其特征在于：在俯视平面上，两个相邻纵向平行开设的沟槽和两个相邻横向平行开设的沟槽均围成一区域，该区域中央垂直向下...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，王凡，程义川，
申请(专利权)人：苏州硅能半导体科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32