温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种单胞中集成肖特基二极管的沟槽ＭＯＳ器件，本实用新型将肖特基二极管结构集成在每一个沟槽ＭＯＳＦＥＴ单胞中，ＭＯＳＦＥＴ单胞的Ｎ＋源极欧姆接触、Ｐ型阱的欧姆接触以及肖特基二极管阳极接触共用同一接触孔，有效节约硅表面面积，降低芯片成本。本实用...
该专利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州硅能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。