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本发明涉及一种集成于一单片硅片上的功率场效应晶体管及其布图设计方法，所述功率场效应晶体管由多个单元晶格并行排列组成，每一单元晶格包括栅极区域、源极区域和漏极区域，其中，所述漏极区域和所述源极区域分别分布在所述栅极区域的两侧，其特征在于，所述...
该专利属于杭州矽力杰半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州矽力杰半导体技术有限公司授权不得商用。

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