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本发明的目的在于，通过降低用于使电阻变化的击穿电压且抑制其不均匀，从而实现存储器的微细化·大容量化。本发明的非易失性存储装置（１０）具备：下部电极（１０５），形成在基板（１００）上；第１电阻变化层（１０６ａ），形成在下部电极（１０５）上，由...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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