一种倒装结构的LED芯片制作方法技术

本发明专利技术涉及一种倒装结构的LED芯片制作方法，包括N型电极形成区和P型电极形成区，N型电极形成区包括衬底、缓冲层、N型层、N型分别限制层、有源区层、P型分别限制层、P型层、P型欧姆接触层、光反射层以及绝缘薄膜，N型电极的一端面穿过绝缘薄膜与光反射层连接，N型电极的另一端面通过PCB板与散热板连接；P型电极形成区包括衬底、缓冲层、N型层以及绝缘薄膜，P型电极的一端穿过绝缘薄膜与N型层连接，P型电极的另一端通过PCB板与散热板连接；N型电极和P型电极分别与PCB板连接的两端面位于同一水平面。本发明专利技术由于把LED芯片的N型电极和P型电极制作在同一表面上，增加了芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED芯片结构，尤其是涉及一种倒装结构的LED芯片制作方法。
技术介绍
一般在蓝宝石衬底上制作的蓝、绿或紫光LED芯片的发光面为外延材料的生长表面，即P型表面。在LED的封装过程中，都把蓝宝石衬底面直接固定在散热板上。在LED的工作过程中，其发光区——有源区是器件发热的根源。由于蓝宝石衬底本身是一种绝缘体材料，且导热性能和GaN材料比较差，所以对这种正装的LED器件其工作电流都有一定的限制，以确保LED的发光效率和工作寿命。为改善器件的散热性能，人们设计了一种LED芯片结构，即倒装结构的LED芯片。自从提出芯片的倒装设计之后，人们针对其可行性进行了大量的研究和探索。由于LED芯片设计的局限性，封装良率一直很低，原因如下第一、N型电极区域相对小，很难与PCB板的相应区域对位；第二、N型电极位置比P型电极位置高很多，很容易造成虚焊、脱焊情形；第三、为制作N型电极，往往要人为地去掉很大一部分有源区，这样大大地减少了器件的发光面积，直接影响了 LED发光效率。如图1所示，利用MOCVD (或VPE、MBE、LPE等)技术在衬底(蓝宝石、GaAs、InP、 ZnO等)上生本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种倒装结构的ＬＥＤ芯片制作方法，包括Ｎ型电极形成区和Ｐ型电极形成区，Ｎ型电极形成区和Ｐ型电极形成区分别位于ＬＥＤ芯片两侧，其特征在于：Ｎ型电极形成区从上至下依次包括衬底（１）、缓冲层（２）、Ｎ型层（３）、Ｎ型分别限制层（４）、有源区层（５）、Ｐ型分别限制层（６）、Ｐ型层（７）、Ｐ型欧姆接触层（８）、光反射层（９）以及绝缘薄膜（１０），Ｎ型电极（１１）的一端面穿过所述绝缘薄膜（１０）与所述光反射层（９）连接，Ｎ型电极（１１）的另一端面通过ＰＣＢ板（２７）与散热板（２８）连接；所述Ｐ型电极形成区从上至下依次包括衬底（１）、缓冲层（２）、Ｎ型层（３）以及绝缘薄膜（１０），Ｐ型电极（１２）的一端...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：祝进田，
申请(专利权)人：祝进田，
类型：发明
国别省市：21