本发明专利技术公开了一种LED的封装方法及LED封装结构,该封装方法包括采用一基板,该基板具有一绝缘层,在绝缘层的下端面间隔粘贴两铜质基板分别作为正极和负极,在该绝缘层上开设一LED晶片安装槽,在该LED晶片安装槽内放置LED晶片,然后用两根导线将LED晶片的正负极分别与所述两铜质基板导通;再将封包材料压合在所述基板上。该LED的封装结构中的基板仅包含绝缘层和铜质基板两层,结构简单,也降低了生产成本。在绝缘层上设有贯通的LED晶片安装槽,使得LED晶片直接固定在铜质基板上,具有良好散热性能,延长了LED使用寿命。该LED的封装方法可采用表面贴装技术生产,制造方法简单,并且制造成本低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LED封装技术,具体的涉及一种可以实现表面贴装的LED的封装方法及LED封装结构。
技术介绍
发光二极管LED是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的核心组件是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。LED的传统封装工艺和封装结构不能满足充分散热的要求。为解决该问题,现有技术中已经出现了采用金属基板进行封装以提升其散热性能的封装结构。例如中国专利ZL201020545082. 5提供了一种LED专用金属基板,其主要由金属底板、绝缘层与导电金属层组成,基板上二导电金属层电极间有裸露的金属底板,LED芯片可以直接固定在金属底板上。该现有技术虽然能够部分解决散热问题,但是其基板的结构比较复杂,并且制备工艺比较繁琐。
技术实现思路
本专利技术提供了一种具有良好散热性能、延长LED使用寿命的LED的封装方法,该封装方法可采用表面贴装技术生产,基板结构简单,并且制造成本低。本专利技术还提供了一种结构设计合理,散热性能佳的LED封装结构,其基板结构简单,能够有效的降低LED封装结构复杂性,并使LED封装过程适合传统的表面贴装技术SMT 工艺的生产可行性。本专利技术所采用的技术方案如下—种LED的封装方法,其特征所述封装方法包括采用一基板,该基板具有一绝缘层,在绝缘层的下端面间隔粘贴两片铜质基板分别作为正极和负极,在该绝缘层上开设一 LED晶片安装槽,在该LED晶片安装槽内放置LED 晶片,然后用两根导线将LED晶片的正负极分别与所述两片铜质基板导通;再将封包材料压合在所述基板上。一实施方式中,所述封装方法进一步包括该两片铜质基板之中的一铜质基板的尺寸大于另一铜质基板,所述LED晶片安装槽位于尺寸较大的铜质基板叠加设置的绝缘层部位。一实施方式中,所述封装方法进一步包括 绝缘层上还开设有两个通孔,将两根导线的一端分别连接LED晶片的正负极,两根导线的另一端分别通过绝缘层上开设的两个通孔与所述铜质基板分别导通连接。另一实施方式中,所述封装方法进一步包括采用压膜方式将封包材料压合在所述基板上,所述封包材料包括荧光胶或环氧树脂。再一实施方式中,所述封装方法进一步包括在绝缘层上开设贯通的LED晶片安装槽,将LED晶片放置在LED晶片安装槽底部裸露的铜质基板上。本专利技术还提供了一种LED封装结构,包括一基板、LED晶片和两根导线,其特征在于所述基板由一绝缘层和两铜质基板构成,该绝缘层的下端面间隔贴合设置该两片铜质基板分别作为正极和负极,该绝缘层的上端面开设有一 LED晶片安 装槽,该LED晶片位于该 LED晶片安装槽内,该两根导线的一端分别连接晶片的正极和负极,另一端分别连接两铜质基板。一实施方式中,所述两铜质基板分别设置在所述绝缘层下端面的两端,其中一铜质基板的尺寸大于另一铜质基板,所述LED晶片安装槽位于大尺寸铜质基板叠加设置的绝缘层部位。另一实施方式中,所述LED晶片安装槽两侧的绝缘层上分别开设有一个通孔,所述两导线的另一端透过该两个通孔分别连接两铜质基板。一实施方式中,所述基板上压膜设置有凸起的封包材料,封包材料将所述导线和 LED晶片封装设置。再一实施方式中,所述LED晶片安装槽贯通该绝缘层,所述LED晶片贴合一铜质基板上端面设置。该LED的封装方法采用将LED晶片直接将固定在铜质基板上的方式,将LED晶片工作时产生的热量直接传导至铜质基板上,然后借由铜质基板的良好导热性能,实现良好散热。LED晶片通过导线穿过绝缘层可以直接和绝缘层下端面的铜质基板电导通,实际应用中,可以采用在绝缘层上开设小型通孔的方式实现导线的方便连接。该封装LED的结构能够利于实现传统的SMT工艺生产的可行性。本专利技术的有益效果在于,与现有技术相比,本专利技术的LED封装结构中的基板仅包含绝缘层和铜质基板两层,结构简单,也降低了生产成本。在绝缘层上设有贯通的LED晶片安装槽,使得LED晶片直接固定在铜质基板上,具有良好散热性能,延长了 LED使用寿命。本专利技术的LED封装方法可采用表面贴装技术生产,制造方法简单,并且制造成本低。下面结合具体附图和具体实施方式对本专利技术做进一步的阐述。附图说明图1是本专利技术具体实施方式中该LED封装结构的剖面结构示意图;图2是本专利技术具体实施方式中该LED封装结构的立体结构示意图。具体实施例方式该LED的封装方法采用一种新的基板,该基板采用绝缘的基材作为绝缘层,在绝缘层的下端面间隔粘贴两铜质基板,并于其上分别形成有相应的电路和电极,其中一铜质基板的尺寸大于另一铜质基板,该大尺寸的铜质基板上形成正极,该小尺寸的铜质基板上形成负极。在该绝缘层上开设一 LED晶片安装槽,LED晶片安装槽位于大尺寸铜质基板叠加设置的绝缘层部位。该LED晶片安装槽贯通绝缘层设置,将LED晶片放置在LED晶片安装槽底部裸露的铜质基板上,使得LED晶片放置于该LED晶片安装槽内。绝缘层上还另开设有两个通孔,将两根导线的一端分别连接LED晶片的正负极,两根导线的另一端分别通过绝缘层上开设的两个通孔与所述两铜质基板分别导通连接。再将包封材料压合在基板上。 封包材料包括荧光胶或环氧树脂,以及光学玻璃等。 下面结合附图详细描述本专利技术优选实施例的LED封装方式。如图1和图2所示, 本专利技术的一优选实施例的该LED封装结构主要由一基板1、LED晶片16和两导线13、14组成。基板1由绝缘层10和二铜质基板21、22构成,绝缘层10的下端面间隔贴合设置二铜质基板22、21,铜质基板22、21上分别形成正极和负极,两铜质基板21、22分别设置在所述绝缘层10下端面的两端,其中一铜质基板22的尺寸大于另一铜质基板21。该绝缘层10贯通开设有一 LED晶片安装槽15,其位于大尺寸铜质基板22叠加设置的绝缘层部位。LED晶片安装槽15为绝缘层上的通槽,LED晶片16贴合铜质基板22的上端面设置。LED晶片安装槽15两侧的绝缘层上分别开设有一个通孔11、12,两根导线13、14的一端分别连接LED 晶片16的正极和负极,另一端分别穿过前述通孔11、12连接至作为正、负电极的两铜质基板21、22。基板1上压膜设置有凸起的封包材料30,封包材料30将导线13、14和LED晶片 16等封装设置。更具体的,该基板1的绝缘层10的厚度为0. 2毫米,该铜质基板21、22的厚度为 0. 2-0. 5 毫米。与现有技术相比,本专利技术的LED封装结构中的基板仅包含绝缘层和铜质基板两层,结构简单,也降低了生产成本。在绝缘层上设有贯通的LED晶片安装槽,使得LED晶片直接固定在铜质基板上,具有良好散热性能,延长了 LED使用寿命。本专利技术的LED封装方法可采用表面贴装技术生产,制造方法简单,并且制造成本低。本专利技术的
技术实现思路
及技术特征已揭示如上,然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本专利技术的教示及揭示而作种种不背离本专利技术精神的替换及修饰,因此,本专利技术保护范围应不限于实施例所揭示的内容,而应包括各种不背离本专利技术的替换及修饰,并为本专利申请权利要求所涵盖。权利要求1.一种LED的封装方法,其特征在于所述封装方法包括采用一基板,该基板具有一绝缘层,在绝缘层的下端面间隔粘贴两片铜质基板分别作为正极和负极,在该绝缘层上开设一 LED晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种LED的封装方法,其特征在于所述封装方法包括:采用一基板,该基板具有一绝缘层,在绝缘层的下端面间隔粘贴两片铜质基板分别作为正极和负极,在该绝缘层上开设一LED晶片安装槽,在该LED晶片安装槽内放置LED晶片,然后用两根导线将LED晶片的正负极分别与所述两片铜质基板导通;再将封包材料压合在所述基板上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:袁永刚,
申请(专利权)人:苏州东山精密制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:32
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