发光二极管装置的制造方法制造方法及图纸

一种发光二极管装置的制造方法，该制造方法包括以下工序：通过用密封材料密封发光二极管来准备密封层的工序；通过使含有荧光体和有机硅树脂的含荧光体树脂组合物处于B阶状态来准备荧光体层的工序；以及将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面上的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管装置的制造方法。
技术介绍
近年来，作为能够发出高能量的光的发光装置，已知有白色发光装置。白色发光装置中例如设置有发出蓝色光的LDE(发光二极管)和能够将蓝色光转换成黄色光的、被覆LED的荧光体层，白色发光装置通过将由LED发出的蓝色光和蓝色光被荧光体层转换得到的黄色光混色来发出高能量的白色光。作为这种发光装置，提出了如下制造的光半导体装置(例如参照日本特开2009-60031号公报(实施例2))。即，通过将在有机硅树脂中分散有荧光体的有机硅树脂清漆注入由环氧树脂构成的第一层的凹部并使其干燥来形成第二层，由此制备在第一层的凹部中填充有第二层的一体型密封用片。另外，另行通过在基板上搭载LED元件来制备安装基板。此后，将一体型密封用片层叠在安装基板上，使得第二层与LED元件接触，从而将LED元件埋设在一体型密封用片内。
技术实现思路
然而，在日本特开2009-60031号公报的制造方法中，LED元件在与第二层接触时，有可能由于与其接触时施加的应力而损伤，另外，有可能利用第二层的LED元件的密封会不充分。本专利技术的目的在于提供一种发光二极管装置的制造方法，该方法能够防止发光二极管损伤，同时可以通过密封层可靠地密封发光二极管。本专利技术的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下工序：通过用密封材料密封发光二极管来准备r>密封层的工序；通过使含有荧光体和有机硅树脂的含荧光体树脂组合物处于B阶状态来准备荧光体层的工序；以及将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面上的工序。根据该方法，由于预先用密封材料密封发光二极管，因此，即使将荧光体层贴合在密封层的表面上，也可以可靠地防止发光二极管损伤。因此，可以提高发光二极管、乃至发光二极管装置的可靠性。结果，可以在各种半导体装置中使用可靠性优异的发光二极管装置。另外，在本专利技术的发光二极管装置的制造方法中，优选的是，在准备所述密封层的工序中，以包围所述发光二极管的方式设置壳体(housing)，将所述密封材料填充到所述壳体内，在将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面上的工序中，将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面和所述壳体的表面这二者上。在以包围发光二极管的方式设置壳体的情况下，预先层叠密封层和荧光体层，想要将该层叠体的密封层填充到壳体内时，密封层的周缘部由于配置在壳体与荧光体层之间，因此有可能会受到它们这二者的挤压而露出到壳体的外侧。在该情况下，有可能会影响发光二极管装置的功能。然而，该方法将荧光体层贴合在密封层的表面和壳体的表面这二者上，因此可以防止密封层露出到壳体的外侧。此外，由于使形成荧光体层的含荧光体树脂组合物处于B阶状态，因此可以将该荧光体层贴附在壳体的表面上，此后，如果使含荧光体树脂组合物固化，则可以使荧光体层可靠地粘接在壳体的表面上。因此，可以进一步提高发光二极管装置的可靠性。附图说明图1为用于说明本专利技术的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的工序图，(a)表示通过将密封材料填充到壳体内、密封发光二极管来准备密封层，并且通过使含荧光体树脂组合物处于B阶状态来准备荧光体层的工序，(b)表示将荧光体层贴合在密封层的表面和壳体的表面这二者上的工序，(c)表示使含荧光体树脂组合物固化来将荧光体层粘接在密封层的表面和壳体的表面这二者上的工序。图2为用于说明本专利技术的发光二极管装置的制造方法的另一实施方式(不设置壳体的方式)的工序图，(a)表示通过用密封材料密封发光二极管来准备密封层，并且通过使含荧光体树脂组合物处于B阶状态来准备荧光体层的工序，(b)表示将荧光体层贴合在密封层表面上的工序，(c)表示使含荧光体树脂组合物固化来将荧光体层粘接在密封层的表面上的工序。具体实施方式本专利技术的发光二极管装置的制造方法如下：通过用密封材料密封发光二极管来准备密封层，另外通过使含有荧光体和有机硅树脂的含荧光体树脂组合物处于B阶状态来准备荧光体层，此后，将荧光体层贴合在密封层的表面上。作为密封材料，例如可列举出有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂等公知的透明树脂等。优选的是，从耐久性的观点考虑，可列举出有机硅树脂。另外，作为有机硅树脂，例如还可列举出含荧光体树脂组合物中含有的有机硅树脂组合物(后述)。密封材料可以单独使用或者将两种以上组合使用。作为发光二极管，例如主要可列举出发出蓝色光的蓝色发光二极管(蓝色LED)等。对于荧光体，例如可列举出能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体等。作为这种荧光体，例如可列举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂例如铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子而得到的荧光体。具体而言，作为荧光体，可列举出例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、(Y，Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si，Ge)3O12:Ce等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体；例如(Sr，Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体；例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体；例如ZnS:Cu，Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体；例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体；例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体；例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce。另外，荧光体是粒状的，对其形状没有特别限定，例如可列举出大致球状、大致平板状、大致针状等。另外，荧光体的平均粒径(最大长度的平均值)例如为0.1～30μm，优选为0.2～20μm。荧光体颗粒的平均粒径通过粒度分布测定装置来测定。荧光体可以单独使用或者组合使用。作为有机硅树脂(含荧光体树脂组合物中含有的有机硅树脂)，例如可列举出热固化型有机硅树脂，作为这种热固化型有机硅树脂，例如可列举出有机硅树脂组合物、含硼化合物有机...

【技术保护点】
１．一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下工序：通过用密封材料密封发光二极管来准备密封层的工序；通过使含有荧光体和有机硅树脂的含荧光体树脂组合物处于Ｂ阶状态来准备荧光体层的工序；以及将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面上的工序。

【技术特征摘要】
2010.07.27 JP 2010-1684341.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该制造
方法包括以下工序：
通过用密封材料密封发光二极管来准备密封层的工序；
通过使含有荧光体和有机硅树脂的含荧光体树脂组合物处
于B阶状态来准备荧光体层的工序；以及
将所述荧光体...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山博之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP