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本发明涉及一种倒装结构的LED芯片制作方法，包括N型电极形成区和P型电极形成区，N型电极形成区包括衬底、缓冲层、N型层、N型分别限制层、有源区层、P型分别限制层、P型层、P型欧姆接触层、光反射层以及绝缘薄膜，N型电极的一端面穿过绝缘薄膜与光...
该专利属于祝进田所有，仅供学习研究参考，未经过祝进田授权不得商用。

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