硅的干法刻蚀方法技术

一种硅的干法刻蚀方法，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀，以去除聚合物；所述进行干法刻蚀的刻蚀气体包括Cl2和O2，其中：所述Cl2的流量速率范围包括60sccm～150sccm；所述O2的流量速率范围包括5sccm～20sccm。本发明专利技术可以使得位于硅下表面的刻蚀停止层的表面平整光滑。

【技术实现步骤摘要】
硅的干法刻蚀方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种硅的干法刻蚀方法。
技术介绍
随着多晶硅栅(PolyGate)金属氧化物半导体(MOS)器件的出现，多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作MOS栅极之外，多晶硅还广泛应用于动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)的深沟槽电容极板填充、闪存工艺中的位线和字线等。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术。所述硅的干法刻蚀技术还包括浅沟槽隔离的单晶硅刻蚀和金属硅化物的刻蚀等。更多关于多晶硅刻蚀的技术，可参考公开号为CN1851049A和CN101436536A的中国专利申请。以下以刻蚀形成多晶硅栅为例，说明现有技术中硅的干法刻蚀技术。当多晶硅层暴露在空气中时，便会在多晶硅层的表面形成一层自然氧化层，自然氧化层的主要成分为二氧化硅，所以在刻蚀多晶硅之前，需要先去除其表面的自然氧化层。现有技术的多晶硅刻蚀可以分为两个阶段，参考图1所示，包括：步骤S1，进行第一步干法刻蚀，去除所述多晶硅层表面的自然氧化层，所述第一步干法刻蚀的刻蚀气体包括CF4和CHF3；步骤S2，进行第二步干法刻蚀，以多晶硅层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅的干法刻蚀方法，其特征在于，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种硅的干法刻蚀方法，其特征在于，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀，刻蚀气体包括Cl2和O2；所述去除自然氧化层采用干法刻蚀，刻蚀气体包括CF4、CHF3和O2；所述硅包括单晶硅或多晶硅；所述刻蚀硅采用干法刻蚀，刻蚀气体包括HBr和HeO2。2.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述Cl2的流量速率范围包括60sccm～150sccm；所述O2的流量速率范围包括5sccm～20sccm。3.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气压范围包括4毫托～15毫托；源射频功率的范围包括200W～500W；偏置射频功率的范围包括100W～300W。4.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀的时间范围包...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，奚裴，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31